真空镀膜机阻止EMI的环保新工艺——连续式磁控溅射塑料金属化工程塑料以优于金属的可加工性，为各类电子产品提供了更高的设计灵活性与生产力，珠海功率器件真空镀膜厂家，已经成为当代电子设备外壳的主要材料。塑料是绝缘体，但是电磁干扰波（EMI）却能自由地穿透没有加屏蔽层的塑料，当电子装置，特别是数字电路在运作时，珠海功率器件真空镀膜厂家，所产生的EMI会干扰其它装置的正常运行，珠海功率器件真空镀膜厂家。因此，必须对电子设备的塑料外壳加设抗EMI的屏蔽层。目前常用的工艺为喷涂导电漆、化学电镀、真空蒸发。PECVD主要由工艺管及加热炉、推舟系统、气路系统、电气系统、计算机系统、真空系统6大部分组成。珠海功率器件真空镀膜厂家

在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场的作用下较终沉积在衬底上。由于该电子的能量很低，传递给衬底的能量很小，致使衬底温升较低。磁控溅射的工作原理是指电子在外加电场的作用下，在飞向衬底过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向衬底，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。深圳金属真空镀膜工艺通过PVD制备的薄膜通常存在应力问题，不同材料与衬底间可能存在压应力或张应力。

PECVD在低温范围内（200-350℃），沉积速率会随着基片温度的升高而略微下降，但不是太明显。PECVD生长氧化硅薄膜是一个比较复杂的过程，薄膜的沉积速率主要受到反应气体比例、RF功率、反应室压力、基片生长温度等。在一定范围内，提高硅烷与笑气的比例，可提供氧化硅的沉积速率。在RF功率较低的时候，提升RF功率可提升薄膜的沉积速率，当RF增加到一定值后，沉积速率随RF增大而减少，然后趋于饱和。在一定的气体总量条件下，沉积速率随腔体压力增大而增大。

真空镀膜机导电膜特性/成本优于ITO适用软性电子以高阶注入的高能隙金属氧化物如氧化铟锡(ITO)形成的透明导电膜在光电产业的应用非常成功，举凡平面显示器、太阳能电池和触控面板等都须使用。然而除须兼顾薄膜的透明度和电性外，软性电子元件所需的透明导电膜还须具备可绕曲特性，若仍选择容易因为弯曲而产生缺陷的金属氧化物薄膜时，元件的可绕曲次数和可弯曲程度便会受到限制，进而影响到可应用范围。除此之外，常用铟锡氧化物中的铟属于稀有金属，被大量使用之后，容易发生原料短缺、价格上涨的缺点，因此开发具备柔韧性的透明导电膜对软性电子元件技术发展比较重要。真空溅射是彻底的环保制程，一定环保无污染。

如果普通的镜片可以看得比较清楚，就不需要加膜，如果要加，树脂镜片可以加抗反射膜，也可以加硬膜，玻璃镜片一般只加抗反射膜。当光线进入不同传递物质时（如由空气进入玻璃），大约有5%会被反射掉，在光学瞄准镜中有许多透镜和折射镜，整个加起来可以让入射光线损失达30%至40%。现代光学透镜通常都镀有单层或多层氟化镁的增透膜，单层增透膜可使反射减少至1.5%，多层增透膜则可让反射降低至0.25%，所以整个瞄准镜如果加以适当镀膜，光线透穿率可达95%。镀了单层增透膜的镜片通常是蓝紫色或是红色，镀多层增透膜的镜片则呈淡绿色或暗紫色。真空镀膜机镀膜常用在相机、望远镜，显微镜的目镜、物镜、棱镜的表面，用以增加像的照度。真空镀膜机的优点:其封口性能好，尤其包装粉末状产品时，不会污染封口部分，保证了包装的密封性能。珠海功率器件真空镀膜厂家

真空镀膜的功能是多方面的，这也决定了其应用场合非常丰富。珠海功率器件真空镀膜厂家

真空镀膜机电阻式蒸发镀分为预热段、预溶段、线性蒸发段三个步骤。但是这三个步骤与时间长短、电流大小有着密切的关系，本人认为应做到短时间中电流，长时间小电流、蒸发电流呈线性上升的方式作为调整工艺的通常调法，比如同等电流时间长二分之一就会变黄，时间较长就会变黑。真空镀膜设备膜层厚度过厚也会带一点黑色，但是是金属本色黑色。膜层薄则呈现白银色。①、预热段的现象：预热段炉体内钨丝基本没什么变化，只是给钨丝一定安培的电流先加热，通常的工艺电流在600A-1000A之间，时间在10-30秒。②、预溶段的现象：这时炉体内的钨丝会有发亮现象，然后铝丝像爆一样的动作，紧接着将从固态慢慢的变成液态。通常的工艺电流在800A-1200A之间，时间在5-15秒。③、线性蒸发段：这个阶段较为重要，真空镀膜机膜层变黑变黄都是在这个阶段出现的，蒸发时炉体内的现象，所有的钨丝都达到了像60瓦灯泡那样亮（比喻），随着电流的加大会越来越亮，铝丝刚开始时像水滴一样倒挂在钨丝上，随着电流的加大慢慢的会被完全蒸发掉。珠海功率器件真空镀膜厂家

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