大面积的太阳能电池板，差不多2平方米的太阳直射能提供约2000w的功率，但是民用太阳能电池板一般只能提供10%～15%的转换效率
也就是说一平方的太阳能电池板只能提供200w～300w，而且还是必须是直射，由于个人很难安装24小时自动**准太阳角度的设备，所以实际效率还会更低，北京太阳能电池片进口。弄得不好的话估计也就能提供100～150w的平均功率
单晶125R150,的面积是14871平方mm 多晶156是24336平方mm 也就是长X宽等于面积
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漏电原因有很多，以下简单介绍几种：
1. 印刷铝浆时网版的漏浆及承印面感光纸没有及时更换所致；
2. 镀膜面有杂质，印刷时和电极重合，在高温烧结时进入PN结导致漏电；
3. 银浆长期暴露于空气中，印刷过程中有杂质混入；
4. 烧结温度过高或硅片本身制绒过深，烧结时造成烧穿，导致漏电；
5. 硅片传递过程中受到污染；
6. 扩散的P很薄或没有扩散，导致正电极和背电场导通，造成漏电大。
以上为常见几种，还有其它的在生产实践中你会慢慢了解的。
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太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产基本也是**关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。
研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，因此，再结晶技术无疑是很重要的一个环节，目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的太阳能电池转换效率明显提高。德国费莱堡太阳能研究所采用区馆再结晶技术在FZSi衬底上制得的多晶硅电池转换效率为19％，日本三菱公司用该法制备电池，效率达16.42%。液相外延（LPE）法的原理是通过将硅熔融在母体里，降低温度析出硅膜。美国Astropower公司采用LPE制备的电池效率达12．2％。太阳能电池片规格单位是什么？
Pmpp：比较大工作功率； Umpp：比较大工作电压； Impp：比较大工作电流；
对于设计好芯片结构的太阳能电池，每一步的工序都影响着它的性能。其中半导体材料本身的质量影响着少子寿命的大小，从而影响着太阳能电池的量子效率。
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太阳能电池片加工中的掺杂与扩散原理的原理：
半导体的掺杂扩散，主要是依靠了离子从高浓度像低浓度区域扩散的原理。在太阳能的硅片中，把杂质原子的气相源靠近硅片，加热后，使其慢慢扩散，杂质原子会慢慢的深入硅片中，浓度从硅片边缘到内部是逐渐降低的。
半导体中的掺杂是指在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。 北京太阳能电池片进口
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