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广州反射溅射真空镀膜实验室 和谐共赢 广东省科学院半导体研究所供应

信息介绍 / Information introduction

真空镀膜机镀层之间的结合力主要与以下因素有关:真空镀膜机底镀层的钝化性,广州反射溅射真空镀膜实验室。越易钝化的镀层,其上镀层的结合力越差,广州反射溅射真空镀膜实验室。镍是易钝化金属,镀镍过程中断电对间稍长,广州反射溅射真空镀膜实验室,镍镀层在镀镍液中会发生化学钝化;若未能有效避免双性电极现象(详见第四讲);则作为阳极部分的工件局部更会发生严重的电化学钝化,在镀多县镍时特别应注意。铬比镍更易钝化,所以铬上镀铬必须有良好的活化。铬上镀铬的情况也不少,如:装饰性套铬一次深镀能力差时作二次套铬;为兼顾抗蚀性与耐磨性,在乳白铬(基本无裂纹)上镀硬铬;钼及钼合金电镀要求用镀铬打底等。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。广州反射溅射真空镀膜实验室

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针对PVD制备薄膜应力的解决办法主要有:1.提高衬底温度,有利于薄膜和衬底间原子扩散,并加速反应过程,有利于形成扩散附着,降低内应力;2.热退火处理,薄膜中存在的各种缺陷是产生本征应力的主要原因,这些缺陷一般都是非平衡缺陷,有自行消失的倾向,但需要外界给予活化能。对薄膜进行热处理,非平衡缺陷大量消失,薄膜内应力卓著降低;3.添加亚层控制多层薄膜应力,利用应变相消原理,在薄膜层之间再沉积一层薄膜,控制工艺使其呈现与结构薄膜相反的应力状态,缓解应力带来的破坏作用,整体上抵消内部应力。甘肃共溅射真空镀膜加工平台真空镀膜的操作规程:在用电子头镀膜时,应在钟罩周围上铝板。

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真空镀膜机光学镀膜主要有两种:一种是抗反射膜,即通过在镜片前表面镀上多层不同折射率与不同厚度的透明材料,利用光干涉的原理来减少镜片表面多余的反射光。镜片加了抗反射膜后,对光线的通透性会增加,佩戴者感觉眩光减少了,视物也更加真切和明亮。另一种是加硬膜,主要用于树脂镜片。它一般加在镜片前表面,使树脂镜片抗磨能力增强,同时光的通透性也有所加强。使用者在清洁加硬膜镜片时,应先用清水将镜片前后表面洗净,再用干净软布吸干,注意不要在镜片干燥时擦拭。

用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面,沉积在基片上。溅射现象于1870年开始用于镀膜技术,1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。常用的二极溅射设备通常将欲沉积的材料制成板材──靶,固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶几厘米。系统抽至高真空后充入10~1帕的气体(通常为氩气),在阴极和阳极间加几千伏电压,两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极,与靶表面原子碰撞,受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜。与蒸发镀膜不同,溅射镀膜不受膜材熔点的限制,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物质。真空镀膜机电磁阀是由电磁线圈和磁芯组成,是包含一个或几个孔的阀体。

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等离子可在接近基片的周围被激发(近程等离子法)。而对于半导体硅片等敏感型基材,辐射和离子轰击可能损坏基材。另一方面,在远程等离子法中,等离子体与基材间设有空间隔断。隔断不仅能够保护基材,也允许激发混合工艺气体的特定成分。然而,为保证化学反应在被活动的粒子真正抵达基材表面时才开始进行,需精心设计工艺过程。在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中,由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下,200 到500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备,因此该技术降低了基材的温度负荷。真空镀膜的操作规程:工作完毕应断电、断水。江苏共溅射真空镀膜公司

真空镀膜机炉体与炉门为了充分利用炉体的内部空间,减轻真空系统的负载。广州反射溅射真空镀膜实验室

反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率,化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下,参与化合物生成的反应气体量增加,化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度,化合物覆盖面积增加,如果不能及时调整反应气体流量,化合物覆盖面积增加的速率得不到防止,溅射沟道将进一步被化合物覆盖,当溅射靶被化合物全部覆盖的时候,靶完全中毒,不能继续溅射。影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例,反应气体过量就会导致靶中毒。广州反射溅射真空镀膜实验室

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