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减薄机研磨垫图形大体的功能先是研磨垫之孔隙度可以协助研磨液于研磨过程输送到不同的一些区域。还有另外的功能是协助将芯片表面的研磨产物移去。研磨垫的机械性质影响到薄膜表面的平坦度以及均匀度，所以控制结构及机械性质是非常重要的。我们通过减薄研磨的方式对晶片衬底进行减薄，从而改善芯片散热效果，但是由于减薄后的衬底背后还存在表面损害层，残余应力会导致减薄后的外延片弯曲且容易在后续工序中碎裂，从而影响成品率。因此在减薄后应对衬底背光进行抛光。浙江玻璃减薄机公司研磨垫的机械性质影响到薄膜表面的平坦度以及均匀度，所以控制结构及机械性质是非常重要的。

晶圆加工减薄机，其结构包括遮盖、研磨头、开合器、吸盘结构、机体、控制面板，机体前端面上设有控制面板，机体顶端一侧活动安装有遮盖，遮盖和机体之间开安装有开合器，遮盖内壁正中间安装有研磨头，和研磨头相对应的机体顶端面上安装有吸盘结构，吸盘结构和研磨头相互配合。吸盘结构设有输气器、吸盘、气管，吸盘位于输气器正上方，输气器和吸盘活动卡合，吸盘上设有两个以上的气管，气管和吸盘活动卡合。吸盘结构设有堵头，堵头和吸盘活动配合。输气器由抽气管、底盘、通气腔组成，底盘内部设有通气腔，通气腔另一端贯穿底盘另一端，底盘另一端正中间设有抽气管，抽气管和底盘互相垂直，抽气管和通气腔贯通，通气腔靠近抽气管的那端比另一端要窄。

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立式减薄机平行度与平面度可控制在±0.002mm范围内。减薄效率高，LED蓝宝石衬底每分钟磨削速度极高可减薄48微米。硅片每分钟磨削速度极高可减薄250微米。其应用于IC封装晶圆背减工艺,化合物材料、红外材料及其他硬脆或复合材料的薄化工艺；适用于陶瓷、玻璃等基板类产品的超薄平坦化加工；使用Grinding工艺可在大部分产品上弥补Lapping工艺无法实现的100mm及以下超薄加工的需要；可以优化Lapping工艺的加工流程；可磨削的材料涉及硅、氧化铝、碲锌镉、铌酸锂、蓝宝石、砷化镓和碳化硅等。浙江玻璃减薄机公司

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