氮化铝陶瓷 （Aluminum Nitride Ceramic）是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。结构：AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，天津电器绝缘陶瓷生产厂家，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。性能指标：(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；(2)热膨胀系数(4，天津电器绝缘陶瓷生产厂家.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，天津电器绝缘陶瓷生产厂家，可以常压烧结；(5)光传输特性好；(6)无毒。生产高铝瓷所用的原料是工业氧化铝，它是将矿产铝矾土用碱法或酸法处理而得。天津电器绝缘陶瓷生产厂家

滑石瓷以天然矿物滑石为主要原料，以顽辉石为主晶相的陶瓷。介电性能优良，价格低廉。缺点是热膨胀系数较大，热稳定性较差，强度比高铝瓷低。滑石瓷普遍用于制造波段开关、插座、可调电容器的定片和轴、瓷板、线圈骨架、可变电感骨架等。氧化铍瓷以氧化铍粉末为主要原料制成的陶瓷。具优良的机电性能。较大特点是热导率高（与金属铝几乎相等），可用以制造大功率晶体管的管壳、管座、散热片和大规模高密度集成电路中的封装管壳和基片。由于氧化铍粉剧毒，在生产和使用上受到一定程度的限制。氮化硼瓷以六方氮化硼为主晶相的陶瓷。其特点是热导率虽在室温下低于氧化铍瓷，但随着温度升高而热导率降低较慢。在500～600℃以上时，氮化硼瓷的热导率超过氧化铍瓷。它还具有良好的电性能。此外，由于它硬度低（莫氏硬度属2级）,可任意加工或切削成各种形状。氮化硼瓷特别适于制作在较高温度下使用的电子器件的散热陶瓷组件和绝缘瓷件，如大功率晶体管的管座、管壳、散热片、半导体封装散热基板以及各种高温、高频绝缘瓷件等 。天津耐磨绝缘陶瓷多少钱氧化铍瓷具优良的机电性能。

氧化铝瓷 ：以氧化铝为主要原料,加入6～30%的粘土、氧化镁、氧化钙、氧化钛等烧结促进剂，混合后在1450～1800℃温度下烧结制成。氧化铝含量越多，越能发挥氧化铝的固有特性，性能愈好，但制造上也随氧化铝含量增加而变得困难。氧化铝瓷的特点是高温下仍具有良好的绝缘性能,纯氧化铝瓷可在800℃的温度下使用，其机械强度在所有氧化物系陶瓷中较高,其热导率大,耐热冲击能力强，可用于制造火花塞绝缘子、超高频大功率电真空器件的绝缘零件、电子管及整流器外壳、集成电路基片和雷达窗口等。

莫来石陶瓷（mullite Ceramic）是指主晶相为莫来石的陶瓷。莫来石是Al2O3一SiO2系中较少稳定的二元化合物，组成可在3Al2O3·2SiO2至2Al2O3·SiO2间变化， 即Al2O3含量可在71 .8一77.3wt%范围内波动。3Al2O·2SiO2是莫来石的化学计量成分和含量。莫来石陶瓷是主晶相为莫来石（3Al2O3·2SiO2）的一类陶瓷的总称。若以合成的超细高纯莫来石粉末制备出的不含玻璃相的莫来石瓷，又称新莫来石陶瓷，亦即高纯莫来石陶瓷 。若以高纯Al2O3粉体和高纯SiO2粉体进行反应烧结或由合成的超细高纯莫来石粉末制备出的不含玻璃相的莫来石瓷，则被称为高纯莫来石陶瓷。高纯莫来石是一种较好的耐火原料，它具有膨胀均匀、热震稳定性极好、荷重软化点高、高温蠕变值小、硬度大、抗化学腐蚀性好等特点。特别是高性能高纯莫来石陶瓷，在1300℃时抗弯强度达570MPa，断裂韧性KIC达5.7MPa，均比常温时高1.6倍，这种随温度升高、强度和韧性不仅不衰减反而大幅度提高，是高纯莫来石陶瓷作为高温材料较佳的特性 。高频绝缘陶瓷又称装置陶瓷。

高铝瓷制造工艺：1、烘干。烘干工艺过程是将生坯中的水分排除，使含水率降到2%~5%以下。烘干工艺过程为：预热→等速干燥+平衡阶段。此过程必须注意温度不能突变，以防止坯件开裂。2、烧制。烧制工艺是通过高温处理，使坯件在高温烧结下使坯件发生一系列物理化学变化，形成预期的矿物组成和显微结构，较后达到成瓷的过程。在烧制过程中，一般分两次进行。靠前次预烧在低温的马弗炉中进行，目的是去除坯件中的有机粘结剂；第二次烧结是在高温的硅碳棒炉中进行。为保证瓷件的尺寸精确不变形，烧制的温度制度(升降温的速度及时间)应严格掌握。氮化硼瓷特别适于制作在较高温度下使用的电子器件的散热陶瓷组件和绝缘瓷件。天津耐磨绝缘陶瓷多少钱

高铝瓷材料是指化学成分中Al2O3含量大于75%的氧化铝瓷统称为高铝陶瓷(简称高铝瓷)。天津电器绝缘陶瓷生产厂家

氮化硅的很多性能都归结于此结构。纯Si3N4为3119，有α和β两种晶体结构，均为六角晶形，其分解温度在空气中为1800℃，在110MPa氮中为1850℃。Si3N4 热膨胀系数低、导热率高，故其耐热冲击性较佳。热压烧结的氮化硅加热到l000℃后投入冷水中也不会破裂。在不太高的温度下，Si3N4 具有较高的强度和抗冲击性，但在1200℃以上会随使用时间的增长而出现破损，使其强度降低，在1450℃以上更易出现疲劳损坏，所以Si3N4 的使用温度一般不超过1300℃。由于Si3N4 的理论密度低，比钢和工程超耐热合金钢轻得多，所以，在那些要求材料具有**度、低密度、耐高温等性质的地方用Si3N4 陶瓷去代替合金钢是再合适不过了。天津电器绝缘陶瓷生产厂家

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