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无锡HX262霍尔开关 华芯霍尔元件厂家供应

信息介绍 / Information introduction

霍尔元件应用霍尔效应的半导体。所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的,无锡HX262霍尔开关。当电流通过金属箔片时,若在垂直于电流的方向施加磁场,则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显,而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。 利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为: 式中 RH――霍尔系数;n――单位体积内载流子或自由电子的个数;q――电子电量;I――通过的电流;B――垂直于I的磁感应强度;d――导体的厚度。 对于半导体和铁磁金属,霍尔系数表达式和式(2)不同。 由于通电导线周围存在磁场,其大小和导线中的电流成正比,故可以利用霍尔元件测量出磁场,无锡HX262霍尔开关,就可确定导线电流的大小,无锡HX262霍尔开关。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中,则在该元件中将产生电流I,元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比,如果再测出该电磁场的磁场强度,则电磁场的功率密度瞬时值P可由 确定。 我司拥有世界前列霍尔元件研发设计能力,与多家**科学研究院建立合作关系。无锡HX262霍尔开关

按照霍尔开关的功能可将它们分为: 霍尔线性器件和霍尔开关器件 。前者输出模拟量,后者输出数字量。

按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性,后者是检测受检对象上人为设置的磁场,用这个磁场来作被检测的信息的载体,通过它,将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等,转变成电量来进行检测和控制。

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霍尔开关在电子防盗锁中的应用

电子防盗锁主要由电池供电,内部装置对功耗有一定要求。全级霍尔开关非常低的工作电压达到2.4V,全级霍尔开关的功耗达到微安级,经常被应用于低功耗产品中。

微功率霍尔开关主要在电子锁中起到限位开关的作用,起到霍尔开关与磁铁的协调作用。磁铁靠近霍尔开关的时候低电平输出。当磁铁离开霍尔开关元素输出一个高水平并进行关闭动作时,做一个打开动作。

这种全级低功耗的霍尔开关可以感知N级和S级,无论即将到来的N或S电平是信号输出,然后进行动作。它是一种基于混合信号CMOS技术的非极性霍尔开关。该芯片采用先进的斩波稳定技术,能够提供准确、稳定的磁开关点。如HX6383,HX6363,HX6393,HX6373等都是全极微功耗霍尔开关



霍尔元件可用多种半导体材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。

半导体中电子迁移率(电子定向运动的平均速度)比空穴迁移率高,因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件霍尔元件。

常用的半导体材料N型硅、N型锗、锑化铟、砷化铟和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In型固溶体等。

其中N型锗容易加工,其霍尔常数、温度性能、输出线性都较好,应用非常普遍锑化铟元件由于在高温时霍尔常数大,所以输出较大,但对温度**敏感,尤其在低温范围内温度系数大;砷化铟的霍尔常数较小,温度系数也较小,输出线性好;砷化镓的温度特性和输出线性好,是较理想的材料,但价格较贵。不同材料适用于不同场合,锑化铟适用于作为敏感元件,锗和砷化铟霍尔元件适用于测量指示仪表。


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霍尔线性器件线性霍尔开关是一种模拟信号输出的磁传感器,输出电压随输入的磁力密度线性变化。

线性霍尔效应传感器 IC 的电压输出会精确测量磁通密度的变化。在静态(无磁场)时,从理论上讲,输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。相反,增加北极磁场将增加来自其静态电压的电压。这些部件可测量电流的角、接近性、运动及磁通量。它们能够以磁力驱动的方式反映机械事件。 我司的产品可替代目前市场上大部分allegro、honeywell、旭化成等霍尔产品。无锡HX262霍尔开关

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8、霍尔不等位电势(又称霍尔偏移零点)

在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下,在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。

9、霍尔输出电压

在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下,在输出端空载测得的霍尔电势差称为霍尔输出电压。

10、霍尔电压输出比率

霍尔不等位电势与霍尔输出电势的比率。

11、霍尔寄生直流电势

在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时,霍尔电极输出除了交流不等位电势外,还有一直流电势,称寄生直流电势。

12、霍尔不等位电势

在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下,环境温度每变化1℃时,不等位电势的相对变化率。

13、霍尔电势温度系数

在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下,环境温度每变化1℃时,不等位电势的相对变化率。它同时也是霍尔系数的温度系数。

14、热阻Rth

霍尔元件工作时功耗每增加1W,霍尔元件升高的温度值称为它的热阻,它反映了元件散热的难易程度。 无锡HX262霍尔开关

无锡华芯晟科技有限公司成立于2003年,是一家专业从事霍尔元件研发、生产、测试、销售为一体的的大型综合型企业。公司主要生产先进的霍尔效应集成传感器产品,与中国科学院电子研究所、苏州纳米研究所等**研究机构及企业建立了战略合作关系,具有较强的新产品、新技术开发能力。

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