为了有效地利用导体材料和便于散热，发电厂的大电流母线常做成槽形或菱形母线；另外，在高压输配电线路中，利用钢芯铝绞线代替铝绞线，这样既节省了铝导线，又增加了导线的机械强度，这些都是利用了集肤效应这个原理。集肤效应是在讯号线里基本的失真作用过程之一，也有可能是容意被忽略误解的。与一般讯号线的夸大宣传所言,集肤效应并不会改变所有的高频讯号,并且不会造成任何相关动能的损失。正好相反，集肤效应会因传导体的不同成分，在传递高频讯号时有不连贯的现象。同样地，在陈旧的线束传导体上，集肤效应助长讯号电流在多条线束上的交互跳动，对于声音造成刺耳的记号。2.邻近效应图。A、B两导体流过相同方向的电流IA和IB，当电流按图中箭头方向突增时，导体A产生的突变磁通ΦA-B在导体B中产生涡流，使其下表面的电流增大，上表面的电流减少。同样导体B产生的突变磁通ΦB-A在导体A中产生涡流，使其上表面的电流增大，下表面的电流减少。这个现象就是导体之间的邻近效应。当流过导体的电流相同，导体之间的距离一定时，如果导体之间的相对面积不同，邻近效应使得导体有效截面面积不同。研究表明:导体的相对面积越大则导体有效截面越大，损耗相对较小。医院医工人员构成复杂，青海史赛克STRYKERL10冷光源更换灯泡，青海史赛克STRYKERL10冷光源更换灯泡，学历，青海史赛克STRYKERL10冷光源更换灯泡、专业、基本素质参差不齐、人员数量较少。青海史赛克STRYKERL10冷光源更换灯泡

    边缘磁场范围减小了一些，(c)中的边缘磁场小。在(c)中由于气隙和绕组的长度基本相同，因此二者磁势的空间分布的不平衡因素小，使得这种情况下的气隙边缘磁场弱，窗口磁场的分量基本上是平行于导体的一维分布，类似于变压器中的漏磁场。在导体中流过高频电流时，气隙边缘磁场也是高频交变的，因此它会在导体中产生很大的涡流损耗，用有限元方法对此分析非常方便。当采用(a)中的气隙分布时漏在空气中的磁场较小;而(b)中的散落在空气中的外部磁场较大，对外界电磁污染较大;(c)中气隙边缘磁场和外部磁场都比较小，使用时应该根据实际要求折衷考虑。图气隙处于的三种不同位置的电感我们以气隙至磁芯顶部的距离与磁芯中柱高度之比（hg/h)为变量，可得出气隙在不同位置时电感器损耗变化图如下：图损耗随气隙位置变化图由此图可知，气隙在中间时损耗小，在两端时损耗大，差别可达。这也就是我们通常EECore用得比EICore多的一个原因。扩散磁通与气隙形状有关，与位置关系不大，当然当它在两端时由于磁路长度发生一定变化，还是有所变化的。减小气隙边缘磁通的方法主要有以下几种:①通过使导体远离气隙，保持导体和气隙之间有一定的距离来减小气隙边缘磁通的影响。青海史赛克STRYKERL10冷光源更换灯泡对热稳定性差导致参数改变的故障或间歇性故障。

    这种关系如图6所示。一篇名为“如何将功率MOSFET的RDS(on)对漏极电流瞬态值的依赖性包含到高频三相PWM逆变器的传导损耗计算中”的IEEE文章描述了如何确定漏极电流对传导损耗的影响。作为ID之函数，RDS(on)变化对大多数SMPS拓扑的影响很小。例如，在PFC电路中，当FCP11N60MOSFET的峰值电流ID为11A两倍于(规格书中RDS(on)的测试条件)时，RDS(on)的有效值和传导损耗会增加5％。在MOSFET传导极小占空比的高脉冲电流拓扑结构中，应该考虑图6所示的特性。如果FCP11N60MOSFET工作在一个电路中，其漏极电流为占空比(即RMS)，则有效的RDS(on)将比（规格书中的测试电流）时的。公式2CCMPFC电路中的RMS电流式2中，Iacrms是PFC电路RMS输入电流；Vac是PFC电路RMS输入电压；Vout是直流输出电压。在实际应用中，计算IGBT在类似PFC电路中的传导损耗将更加复杂，因为每个开关周期都在不同的IC上进行。IGBT的VCE(sat)不能由一个阻抗表示，比较简单直接的方法是将其表示为阻抗RFCE串联一个固定VFCE电压，VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。于是，传导损耗便可以计算为平均集电极电流与VFCE的乘积，加上RMS集电极电流的平方，再乘以阻抗RFCE。图5中的示例*考虑了CCMPFC电路的传导损耗。

    R1//R2)*C使用同样的方法，可以将下图(a)电路等效成(b)的放电电路形式，得到电路的时间常数：t=RC=R1*(C1+C2)用同样的方法，可以将下图(a)电路等效成(b)的放电电路形式，得到电路的时间常数：t=RC=((R1//R3//R4)+R2)*C1对于电路时间常数RC的计算，可以归纳为以下几点：1).如果RC电路中的电源是电压源形式，先把电源“短路”而保留其串联内阻；2).把去掉电源后的电路简化成一个等效电阻R和等效电容C串联的RC放电回路，等效电阻R和等效电容C的乘积就是电路的时间常数；3).如果电路使用的是电流源形式，应把电流源开路而保留它的并联内阻，再按简化电路的方法求出时间常数；4).计算时间常数应注意各个参数的单位，当电阻的单位是“欧姆”，电容的单位是“法拉”时，乘得的时间常数单位才是“秒”。对于在高频工作下的RC电路，由于寄生参数的影响，很难根据电路中各元器件的标称值来计算出时间常数RC，这时，我们可以根据电容的充放电特性来通过曲线方法计算，前面已经介绍过了，电容充电时，经过一个时间常数RC时，电容上的电压等于充电电源电压的，放电时，经过一个时间常数RC时，电容上的电压下降到电源电压的。如上图所示，如通过实验的方法绘出电容的充放电曲线。和各大厂商工程师交朋友，获得技术和配件支持，因此拥有某些技术和配件的优势，维修成本可大幅降低；

    励磁电流的比较大值Iμm用示波器很容易可以测到，正好等于图2-26-b中励磁电流iμ跟随时间线性增长的比较大增量。测量出励磁电流的比较大值Iμm后，把Iμm值代入(2-76)式，即可求得励磁电流产生的半波平均功率Pμ。磁滞损耗半波平均功率Pc可根据(2-76)式或(2-77)式求得，不过在求Pc时，还须先求反激输出电压在负载电阻R1上的半波平均功率Pr1；而计算反激输出电压在负载电阻R1上的半波平均功率Pr1时，还得先求反激输出电压在负载电阻R1上的全波平均值Pra；而全波平均值Pra就是反激输出电压在负载电阻R1上损耗的功率。计算反激输出电压在负载电阻R1上的功率Pra时，需要测量滤波电容C1两端的电压Uc；不过C1两端的电压是一个直流，相当于反激输出电压的平均值；反激输出电压的幅值也是滤波电容C1两端的直流电压幅值，不过这个幅值不是通过一次反激电压输出就能积分出来的，它需要经过很多次反激电压输出，并经过多次积分后，才能使输出电压后面稳定下来。C1两端的电压的测量比较容易，用普通电压表就可以测量，但比较好用示波器的直流档来测量；因为，普通电压表的内阻比较小，会影响测量精度。电压Uc被测量出来后。对故障现象进行分析，基于对仪器原理的了解及面板的操作确定故障大致部位的方法。青海史赛克STRYKERL10冷光源更换灯泡

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