即假定设计目标在维持差情况下的传导损耗小于15W。以FCP11N60MOSFET为例，该电路被限制在，而FGP20N6S2IGBT可以在。它可以传导超过MOSFET70%的功率，湘潭史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修。虽然IGBT的传导损耗较小，但大多数600VIGBT都是PT(PunchThrough，穿透)型器件。PT器件具有NTC(负温度系数)特性，湘潭史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修，不能并联分流。或许，这些器件可以通过匹配器件VCE(sat)、VGE(TH)(栅射阈值电压)及机械封装以有限的成效进行并联，以使得IGBT芯片们的温度可以保持一致的变化。相反地，MOSFET具有PTC(正温度系数)，可以提供良好的电流分流。关断损耗问题尚未结束在硬开关、钳位感性电路中，MOSFET的关断损耗比IGBT低得多，原因在于IGBT的拖尾电流，这与清理图1中PNPBJT的少数载流子有关。图7显示了集电极电流ICE和结温Tj的函数Eoff，其曲线在大多数IGBT数据表中都有提供。这些曲线基于钳位感性电路且测试电压相同，并包含拖尾电流能量损耗。图2显示了用于测量IGBTEoff的典型测试电路，它的测试电压，即图2中的VDD，湘潭史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修，因不同制造商及个别器件的BVCES而异。在比较器件时应考虑这测试条件中的VDD，因为在较低的VDD钳位电压下进行测试和工作将导致Eoff能耗降低。降低栅极驱动关断阻抗对减小IGBTEoff损耗影响极微。如图1所示。然后分析测得参数是否与被测电路原理相符，从而发现故障原因的方法。湘潭史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修

    R1//R2)*C使用同样的方法，可以将下图(a)电路等效成(b)的放电电路形式，得到电路的时间常数：t=RC=R1*(C1+C2)用同样的方法，可以将下图(a)电路等效成(b)的放电电路形式，得到电路的时间常数：t=RC=((R1//R3//R4)+R2)*C1对于电路时间常数RC的计算，可以归纳为以下几点：1).如果RC电路中的电源是电压源形式，先把电源“短路”而保留其串联内阻；2).把去掉电源后的电路简化成一个等效电阻R和等效电容C串联的RC放电回路，等效电阻R和等效电容C的乘积就是电路的时间常数；3).如果电路使用的是电流源形式，应把电流源开路而保留它的并联内阻，再按简化电路的方法求出时间常数；4).计算时间常数应注意各个参数的单位，当电阻的单位是“欧姆”，电容的单位是“法拉”时，乘得的时间常数单位才是“秒”。对于在高频工作下的RC电路，由于寄生参数的影响，很难根据电路中各元器件的标称值来计算出时间常数RC，这时，我们可以根据电容的充放电特性来通过曲线方法计算，前面已经介绍过了，电容充电时，经过一个时间常数RC时，电容上的电压等于充电电源电压的，放电时，经过一个时间常数RC时，电容上的电压下降到电源电压的。如上图所示，如通过实验的方法绘出电容的充放电曲线。湘潭史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修维修概论大凡仪器系统均由三个部分组成，即操作者、环境和仪器本身。

    引言对于高压的静电的消除关于零线是不是大地线的说明：1．结构的区别：零线（N）：从变压器中性点接地后引出主干线。地线（PE）：从变压器中性点接地后引出主干线，根据标准，每间隔20-30米重复接地。2、原理的区别：零线（N）：主要应用于工作回路，零线所产生的电压等于线阻乘以工作回路的电流。由于长距离的传输，零线产生的电压就不可忽视，作为保护人身安全的措施就变得不可靠。地线（PE）：不用于工作回路，只作为保护线。利用大地的“0”电压，当设备外壳发生漏电，电流会迅速流入大地，即使发生PE线有开路的情况，也会从附近的接地体流入大地。于地线和零线的问题楼上有几位讲的有一些道理，但又不完全是那样子的，接地线是系统保护，零线是系统封装。这个问题好从系统设计来讲，接地线和零线都可以作为电流卸载线，它们又有所不同，接地线是系统对地卸载点，零线是系统内部卸载点。一个系统中可以使用放电电阻来卸载，也可以通过接地来卸载，以三相电为例，以前国外都是三相五线制，即三相火线、一根零线、一根地线；国内都是三相四线制，即三相火线、一根地线（现在也改为三相五线制），在企业变电站也是将变压器的次级零线接地。

    反激式电压产生的原因是因为K1或K2接通瞬间变压器初级或次级线圈中的电流初始值不等于零，或磁通的初始值不等于零。实际上，半桥式变压器开关电源的反激式输出电压部分是不能忽略的。半桥式变压器开关电源变压器次级线圈的输出电压应该同时包括两部分，正激输出电压和反激输出电压。因此，图1-36中，当控制开关K1关断，K2接通瞬间，开关变压器次级线圈输出电压应该等于正激电压与反激电压之和。正激电压的计算可由(1-158)和(1-159)式给出，反激电压的计算可由(1-67)或(1-68)式给出。关于纯电阻负载反激式输出电压的计算，请参考前面《1-5-1．单激式变压器开关电源的工作原理》章节中的相关内容分析，这里不再赘述。根据(1-67)式上式中，[uo]表示开关变压器次级线圈N2绕组输出的反激式电压，[i2]表示开关变压器次级线圈N2绕组输出反激式电压对负载R产生的电流。另外根据(1-159)式求得的结果，开关变压器次级线圈N2绕组产生的正激式输出电压为：(uo)=－ne1=－nUi/2K2接通期间(1-161)上面两式中，[uo]表示开关变压器次级线圈N2绕组产生的反激式输出电压，(uo)表示开关变压器次级线圈N2绕组产生的正激式输出电压。因此，开关变压器次级线圈输出电压uo等于正激电压。第三方医疗设备维修公司（就医疗设备而言，医院为首先方，厂商为第二方）应运而生。

    1-182)式就是全桥式变压器开关电源正激输出时的电压关系式。上式中，(Up)为开关变压器次级线圈N2绕组正激输出电压的幅值；Ui为开关电源变压器初级线圈N1绕组的输入电压；n为变压器次、初级线圈的变压比，即：开关变压器次级线圈输出电压与初级线圈输入电压之比，n也可以看成是开关变压器次级线圈N2绕组与初级线圈N1绕组的匝数比，即：n=N2/N1。由此可知，在控制开关K1和K4接通期间，全桥式变压器开关电源变压器次级输出的正激电压幅值只与输入电压和变压器的次/初级变压比有关系。同理我们也可以求得，当控制开关K2和K3接通时，开关变压器N2线圈绕组输出的正激电压幅值(Up-)为：(Up-)=－e2=－ne1=－nUiK2和K3接通期间(1-183)上式中的负号表示e2的符号与(1-182)中的符号相反，(Up-)表示与(Up)的极性相反，因为Uab=－Uba。这里还需指出，(1-182)式和(1-183)式列出的计算结果，并没有考虑控制开关K1和K4或K2和K3关断瞬间，励磁电流存储的能量产生反电动势的影响。当控制开关K1和K4或K2和K3关断瞬间，流过开关变压器初级线圈的励磁电流由最大值突然下降为零，使开关变压器铁心中的磁通量也要跟着产生变化；即：开关变压器的初、次级线圈中都会产生感应电动势。认识不到日常清洁维护工作的重要性。湘潭史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修

以前，医疗设备维修工作，主要是由各医院的设备科维修工程师自行修理。湘潭史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修

    边缘磁场范围减小了一些，(c)中的边缘磁场小。在(c)中由于气隙和绕组的长度基本相同，因此二者磁势的空间分布的不平衡因素小，使得这种情况下的气隙边缘磁场弱，窗口磁场的分量基本上是平行于导体的一维分布，类似于变压器中的漏磁场。在导体中流过高频电流时，气隙边缘磁场也是高频交变的，因此它会在导体中产生很大的涡流损耗，用有限元方法对此分析非常方便。当采用(a)中的气隙分布时漏在空气中的磁场较小;而(b)中的散落在空气中的外部磁场较大，对外界电磁污染较大;(c)中气隙边缘磁场和外部磁场都比较小，使用时应该根据实际要求折衷考虑。图气隙处于的三种不同位置的电感我们以气隙至磁芯顶部的距离与磁芯中柱高度之比（hg/h)为变量，可得出气隙在不同位置时电感器损耗变化图如下：图损耗随气隙位置变化图由此图可知，气隙在中间时损耗小，在两端时损耗大，差别可达。这也就是我们通常EECore用得比EICore多的一个原因。扩散磁通与气隙形状有关，与位置关系不大，当然当它在两端时由于磁路长度发生一定变化，还是有所变化的。减小气隙边缘磁通的方法主要有以下几种:①通过使导体远离气隙，保持导体和气隙之间有一定的距离来减小气隙边缘磁通的影响。湘潭史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修

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