振动台的工作原理：通电导体在磁场中受到电磁力的作用而运动，杭州三向振动台系统。当电磁回式振动台磁路中的动圈答通过交变电流信号时产生激振力磁路中产生振动运动。类似于扬声器振动台的试验目的：随机振动试验适用于使用中可能受到随机性振动条件影响的元器和设备。目的在于实验中作一连串可控制的振动模拟，测试产品在寿命周期中，是否能承受运送或振动环境因素的考验，也能确定振动试验台设计及功能的要求标准。 振动台开机顺序： 1、接通系统电源确定增益开关处于复位位置再合上功放漏电断路的开关。 2、按试验说明书的要求正确设置试验参数并保存，调用试验数据和检查试验设置要和说明书一致。 3、按下电源通按钮风机启动后。打开增益旋钮至合适位置(参照使用说明书)/此时“准备”“启动”“电源”灯亮，杭州三向振动台系统，系统进入待运行状态。 4、进行试验，随时记录试件状态和试验设备状态，保存相应试验数据，杭州三向振动台系统。振动台使用注意事项：打开气压阀门，手动调节气囊将气压调至中心位置。杭州三向振动台系统

振动台的振动测试发展和测试意义: 振动测试大约在距今四、五十年前就开始出现，理论建立时，当时并没有人们相信它的重要性，直到二次大战爆发时，许多的飞行器、舰艇、车辆及器材在使用之后，惊奇的发现机件失零的数目相当高，经研究的结果证明，大都因为其结构无法承受其本身所产生的长时间共振，或搭载物品承受运送共振所引起的，组件松脱、崩裂，而致机件失零甚而造成巨大的财产损失。当这项结果被大家知道后，振动测试才受到各行各业重视，开始投入大笔资金、人力去研究探索。后来，对于振动量测分析以至模拟分析的近代理论建立之后，对振动测试的方法及逻辑也不断完善。特别是当今货物的流通频繁，使得振动台的振动测试显得更加的重要。下面我们学习一下振动台的振动测试的常见问题。浙江电子振动台制造振动分为正弦振动、随机振动、复合振动、扫描振动、定频振动。

振动台操作注意事项： 一、接线 1、不能够把三相电源接到二相电源上去，要区分好所购买的机型是380V还是220V的电源。同样，220V电源不能接到380V电源机开型上去，否则会造成不必要的损失。 2、外线进行部分，需单独安装漏电开关或空气开关，不能与其它大功率设备共用，以免造成设备的损坏及不正常使用。 3、机器的内部接线不能任意改动及拆接。 二、按钮或开关 1、出厂已检验正常，如无特殊情况请勿拆装。 2、如遇按钮或开关损坏需要更换时，请依原来出厂的接法换上即可，不可任意改动。 三、操作 1、不能在机器运行过程中直接切断电源。 2、要严格依照操作说明中使用程序步骤执行，不可避难取易或随便设置，以防机器的不正常运行。 3、非程序运行步骤内码不可乱调(即机器内部其它未提到的内码参数)，否则会产生机器工作不正常。

电动式振动台是使用较普遍的一种振动设备。它的频率范围宽，小型振动台频率范围为0~10kHz，大型振动台频率范围为0~2kHz，动态范宽，易于实现自动或手动控制；加速度波形良好，适合产生随机波；可得到很大的加速度。电动式振动台是根据电磁感应原理设直的，当通电导体处的恒定磁场中将受到力的作用，半导体中通以交变电流时将产生振动。振动台的驱动线圈正式处在一个高磁感应强度的空隙中，需要的振动信号从信号发生器或振动控制仪产生并经功率放大器放大后通到驱动线圈上，这时振动台就会产生需要的振动波形。电动振动台基本上由驱动线圈及运动部件、运动部件悬挂及导向装置、励磁及消磁单元、台体及支承装置五部分组成。驱动线圈和运动部件结构复杂，一阶共振频率计算非常困难，要靠经验估算，这常常造成设计失误。702所在80年代未初次将有限元方法用于电动振动台运动部件共振频率的计算，不仅提高了计算结果的准确度，而且便于对结构进行优化设计，增加了振动台的设计可靠性。振动台作用：提早将不佳件筛检。

振动台功率模块： 1、采用进口IGBT模块，单个器件电流可达100A，管压降小，组成模组功率大于12kVA，功率模块器件数 量少，故障点少； 2、积木式组合，可根据功率大小将若干个功率模块并联工作；采用流水线生产，保证了产品的一致性； 3、振动台功率模块的电子防短路保护电路，保证了系统的安全性； 4、电子自动均流技术，较大功率放大器的输出电流可达5000A，并联均流不平衡度≤3%； 5、功率模块采用功率因数补偿装置，功率放大器的功率因数达95%，使电网容量得以充分利用； 6、功率模块严格经过过载测试，单个功率模块输出电流可达120A，可实现3倍的波峰系数； 7、功率模块需要经过老化测试、运输试验。定频振动是指在规定的固定频率点上进行各种振动参数不同量级的试验。苏州运输振动台制造

振动台优点：耐久测量，让产品耐久使用、使不耐久的组件提早改进，公司品牌口碑即会更好。杭州三向振动台系统

振动台功率模块： IGBT模块优点： 1、可靠性高。IGBT是自关断元件，安全工作区大，保护是瞬间动作，而且击穿电压可高达1200V，在使用中不易损坏。相比较于IGBT，MOSFET击穿电压低，易损坏； 2、IGBT模块电流容量大，耐压高使用功率高。而MOSFET相比电流容量低，耐压低，功率小，不适用于大电流高电压的场合。目前市场上变频器、伺服控制器、开关电源、UPS、无轨电车等大功率设备都使用IGBT模块； 3、输入阻抗高，导通电阻小，栅极驱动功率小，发热低，热损耗低。而MOSFET导通电阻大，在高压大电流场合功耗比较大； 4、IGBT模块电流密度大（一般为MOSFET的10倍），开通电阻小（一般不大于MOSFET的RDS(on)的10%），饱和电压降低。杭州三向振动台系统

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