连载26)双激式变压器开关电源part1(连载27)双激式变压器开关电源part2(连载28)整流输出推挽式变压器开关电源(连载29)推挽式变压器开关电源储能滤波电感，陕西STRYKER史赛克L10冷光源更换高压包，陕西STRYKER史赛克L10冷光源更换高压包，陕西STRYKER史赛克L10冷光源更换高压包、电容参数的计算(连载30)推挽式变压器开关电源储能滤波电容参数的计算(连载31)推挽式开关电源变压器参数的计算(连载32)推挽式开关电源的优缺点(连载33)半桥式变压器开关电源(连载34)交流输出半桥式变压器开关电源part1(连载35)交流输出半桥式变压器开关电源part2(连载36)交流输出单电容半桥式变压器开关电源part1(连载37)交流输出单电容半桥式变压器开关电源part2(连载38)单电容半桥式变压器开关电源输出电压(连载39)整流输出半桥式变压器开关电源(连载40)半桥式开关电源储能滤波电感、电容参数的计算(连载41)半桥式开关电源变压器参数的计算(连载42)半桥式变压器开关电源的优缺点(连载43)全桥式变压器开关电源(连载44)整流输出全桥式变压器开关电源(连载45)全桥式开关电源变压器参数的计算(连载46)全桥式变压器开关电源的优缺点(连载47)开关电源主要器件之开关电源变压器(连载48)开关变压器的工作原理(连载49)脉冲序列对单激式开关电源变压器铁芯的磁化part1(连载50)脉冲序列对单激式开关电源变压器铁芯的磁化part2。因我国有关于医疗设备行业的各种机构，至今还没有出台有关医疗设备维修收费的规章制度。陕西STRYKER史赛克L10冷光源更换高压包
但是磁芯窗口宽度是很有限的，这样做会减小磁芯窗口的利用率。②将绕组导体放置在磁芯窗口中一个固定的区域中，而这个区域边缘磁通很小，这种方式同样可以减小气隙边缘磁通造成的导体涡流损耗，但是这种方式增加了绕线的复杂性。③采用分布式气隙或均匀分布气隙。因为在气隙总长度不变的情况下，每个气隙的尺寸得以减小，这种方式可以在很大程度上减小气隙边缘磁通，它附近导体的涡流损耗会有较大的改善，但是这种方式的磁芯需要特殊的加工，比较复杂。同时增加太多的小气隙，对减少绕组的损耗不一定明显。磁芯和绕组参数同图(a)和表1中的三种方案。气隙布置在3个磁芯柱上，每个磁芯柱上的气隙总长为，拆分成的小气隙在磁柱上均匀分布，图。当电感绕组中通过幅值为1A，频率为300kHz的正弦电流时，用AnsoftMaxwell2D电磁场有限元软件得到单位长度的绕组损耗随小气隙个数的变化趋势如图。图（a）铜箔绕组结构图（b）漆包线绕组结构图图漆包线绕组和铜箔绕组的磁通分布图图绕组损耗随气隙间磁柱长度变化的关系图图多气隙结构图图绕组损耗与分布气隙个数的关系图对图，刚开始增加气隙的个数，能减少绕组的损耗。但气隙的个数增加到6到7个气隙以后。陕西STRYKER史赛克L10冷光源更换高压包使得医疗设备管理人员缺乏工作积极性，影响了医疗设备的保养和维修工作的开展。
相比于电源的其他损耗，这些损耗一般较小，但是可以作些分析看看是否有改进的可能。首先是启动电路。启动电路从输入电压获得直流电流，使控制IC和驱动电路有足够的能量启动电源。如果这个启动电路不能在电源启动后切断电流，那么电路会有高达3W的持续的损耗，损耗大小取决于输入电压。第二个主要方面是功率开关驱动电路。如果功率开关用双极型功率晶体管，则基极驱动电流必须大于晶体管集电极e峰值电流除以增益(hFE)。功率晶体管的典型增益在5-15之间，这意味着如果是10A的峰值电流，就要求～2A的基极电流。基射极之间有，如果基极电流不是从非常接近，则会产生很大的损耗。功率MOSFET驱动效率比双极型功率晶体管高。MOSFET栅极有两个与漏源极相连的等效电容，即栅源电容Ciss和漏源电容Crss。MOSFET栅极驱动的损耗来自于开通MOSFET时辅助电压对栅极电容的充电，关断MOSFET时又对地放电。栅极驱动损耗计算由式(5)给出。对这个损耗，除了选择Ciss和Crss值较低的MOSFET，从而有可能略微降低大栅极驱动电压以外，没有太多的办法。与磁性元件有关的损耗对一般设计工程师而言，这部分非常复杂。因为磁性元件术语的特殊性，以下所述的损耗主要由磁心生产厂家以图表的形式表示。
当等效的多数载流子MOSFET关断时，在IGBT少数载流子BJT中仍存在存储时间延迟td(off)I。不过，降低Eoff驱动阻抗将会减少米勒电容(Millercapacitance)CRES和关断VCE的dv/dt造成的电流注到栅极驱动回路中的风险，避免使器件重新偏置为传导状态，从而导致多个产生Eoff的开关动作。ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFET和IGBT的关断损耗方面很有优势。不过ZVS的工作优点在IGBT中没有那么大，因为当集电极电压上升到允许多余存储电荷进行耗散的电势值时，会引发拖尾冲击电流Eoff。ZCS拓扑可以提升大的IGBTEoff性能。正确的栅极驱动顺序可使IGBT栅极信号在第二个集电极电流过零点以前不被清理，从而明显降低IGBTZCSEoff。MOSFET的Eoff能耗是其米勒电容Crss、栅极驱动速度、栅极驱动关断源阻抗及源极功率电路路径中寄生电感的函数。该电路寄生电感Lx(如图8所示)产生一个电势，通过限制电流速度下降而增加关断损耗。在关断时，电流下降速度di/dt由Lx和VGS(th)决定。如果Lx=5nH，VGS(th)=4V，则大电流下降速度为VGS（th）/Lx=800A/μs。总结：在选用功率开关器件时，并没有万全的解决方案，电路拓扑、工作频率、环境温度和物理尺寸，所有这些约束都会在做出佳选择时起着作用。医院每年要支出大量的医疗设备维修费用，而且一不小心，就会支付出大量的冤枉钱。
全桥式变压器开关电源工作原理与推挽式变压器开关电源以及半桥式变压器开关电源的工作原理是很相似的，因此，分析方法也基本相同。下面我们进一步详细分析全桥式变压器开关电源的工作原理。当控制开关K1和K4接通时候，电源电压Ui被加到变压器初级线圈N1绕组的a、b两端，在变压器初级线圈N1绕组中将有电流经过，通过电磁感应会在变压器的铁心中产生磁场，并产生磁力线；同时，在初级线圈N1绕组的两端要产生自感电动势e1，在次级线圈N2绕组的两端也会产生感应电动势e2；感应电动势e2作用于负载R的两端，从而产生负载电流。因此，在初、次级电流的共同作用下，在变压器的铁心中会产生一个由流过变压器初、次级线圈电流产生的合成磁场，这个磁场的大小可用磁力线通量(简称磁通量)，即磁力线的数目Φ来表示。如果用Φ1来表示变压器初级线圈N1绕组电流产生的磁通量，用Φ2来表示变压器次级线圈电流产生的磁通量，由于变压器初、次级线圈电流产生的磁场方向总是相反，则在控制开关K1和K4接通期间，由流过变压器初、次级线圈电流在变压器铁心中产生的合成磁场的总磁通量Φ为：Φ=Φ1－Φ2K1和K4接通期间(1-179)其中变压器初级线圈电流产生的磁通Φ1还可以分成两个部分。根据电路原理测量有关点的电压、电流、电阻及波形等参数。陕西STRYKER史赛克L10冷光源更换高压包
对逻辑电路而言，可从输入端注入适当逻辑信号，逐级测量各输出是否正常。陕西STRYKER史赛克L10冷光源更换高压包
直流电阻损耗由绕组导线的电阻与流过的电流有效值二次方的乘积所决定。集肤效应是由于在导线内强交流电磁场作用下，导线中心的电流被“推向”导线表面而使导线的电阻实际增加所致，电流在更小的截面中流动使导线的有效直径显得小了。式(8)给出了这两个损耗在一个表达式中的计算式。漏感(用串联于绕组的小电感表示)使一部分磁通不与磁心交链而漏到周围的空气和材料中。它的特性并不受与之相关的变压器或电感的影响，因此绕组的反射阻抗并不影响漏感的性能。漏感会带来一个问题，因为它没有将功率传递到负载，而是在周围的元件中产生振荡能量。在变压器和电感的结构设计中，要控制绕组的漏感大小。每一个的漏感值都会不同，但能控制到某个额定值。一些减少绕组漏感的通用经验法则是：加长绕组的长度、离磁心距离更近、绕组之间的紧耦合技术，以及相近的匝比(如接近l：1)。对通常用于DC-DC变换器的E-E型磁心，预计的漏感值是绕组电感的3％～5％。在离线式变换器中，一次绕组的漏感可能高达绕组电感的12％，如果变压器要满足严格的安全规程的话。用来绝缘绕组的胶带会使绕组更短，并使绕组远离磁心和其他绕组。后面可以看到，漏感引起的附加损耗可以被利用。陕西STRYKER史赛克L10冷光源更换高压包
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