硅太阳能电池的性能参数主要有：短路电流、开路电压、峰值电流、峰值电压、峰值功率、填充因子和转换效率等。

①短路电流(isc)：当将太阳能电池的正负极短路、使u=0时，此时的电流就是电池片的短路电流，短路电流的单位是安培(a)，短路电流随着光强的变化而变化。

②开路电压(uoc)：当将太阳能电池的正负极不接负载、使i=0时，此时太阳能电池正负极间的电压就是开路电压，开路电压的单位是伏特(v)。单片太阳能电池的开路电压不随电池片面积的增减而变化，一般为0，吉林硅太阳能电池片栅线.5～0.7v。

③峰值电流(im)：峰值电流也叫比较大工作电流或比较好工作电流。峰值电流是指太阳能电池片输出比较大功率时的工作电流，吉林硅太阳能电池片栅线，峰值电流的单位是安培(a)。

④峰值电压(um)：峰值电压也叫比较大工作电压或比较好工作电压。峰值电压是指太阳能电池片输出比较大功率时的工作电压，峰值电压的单位是v，吉林硅太阳能电池片栅线。峰值电压不随电池片面积的增减而变化，一般为0.45～0.5v，典型值为0.48v。

太阳能电池片对身体有危害吗?吉林硅太阳能电池片栅线

P型和N型都可以做电池片。

在p型半导体材料上扩散磷元素，形成n+/p型结构的太阳电池即为P型硅片；

在N型半导体材料上注入硼元素，形成p+/n型结构的太阳电池即为n型硅片；

目前光伏行业主流产品是P型硅片，P型硅片制作工艺简单，成本较低，N型硅片通常少子寿命较大，电池效率可以做得更高，但是工艺更加复杂。N型硅片掺磷元素，磷与硅相溶性差，拉棒时磷分布不均，P型硅片掺硼元素，硼与硅分凝系数相当，分散均匀度容易控制。

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五、等离子刻蚀

  由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空系统抽出腔体。

太阳能电池片虚焊、过焊原因与影响

1.焊接温度过多或助焊剂涂抹过少或速度过快会导致虚焊 2.焊接温度过高或焊接时间过长会导致过焊现象.

对太阳能组件的影响： 1.虚焊在短时间出现焊带与电池片脱层，影响组件功率衰减或失效, 2.过焊导致电池片内部电极被损坏，直接影响组件功率衰减降低组件寿命或造成报废 预防措施： 1.确保焊接机温度、助焊剂喷射量和焊接时间的参数设定. 并要定期检查, 2.返修区域要确保烙铁的温度、焊接时间和使用正确的助焊笔涂抹助焊剂. 3.加强EL检验力度，避免不良漏失下一工序 太阳能电池片漏电种类和原因分析！

太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒及酸洗——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀及酸洗——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。具体介绍如下：

  一、硅片检测

  硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。 太阳能电池的主要参数.安徽薄膜太阳能电池片厂家

太阳能电池片2bb，3bb，4bb，5bb代表什么意思？吉林硅太阳能电池片栅线

太阳能电池片的A规和B规的主要分标准是从外观和机械性能等各个参数来说的:

外观分;色差:A 只允许有同种颜色 B 允许有两种相近色,(蓝或深蓝,淡蓝)

漏浆,A 不允许 B ≤3㎡

脏污,A ≤3㎡ B ≤9㎡

结点;水印;主栅线缺损,多印;背电极缺损,多印;背电场左右偏移,多印,缺损;铝刺;V型缺口;缺角;等.A级是优品,B为合格品.

另外A规为***片≥15.75% 单晶

≥15.5% 多晶

以15.75为例,单晶的A规的价格应该是30-50/W之间

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