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    我们是称重模块、称重传感器和重型秤的历史悠久供应商使用梅特勒-托利多称重传感器，可快速、安全地在用于灌装、加料、配料、按重量分拣和检重的任何机器中集成称重功能。梅特勒-托利多称重传感器在食品、制药和化学应用中使用。它们具有各种型号，具体取决于应用和环境，以满足OEM机器制造商、系统集成商和较终用户的要求。称重传感器配有各种附件，包括底板、载荷实施硬件以及用于应对热、冲击和振动的隔离器。梅特勒-托利多提供种类多样的称重传感器，称重范围为5千克至300吨。称重传感器的材质为镀铝钢和电解抛光不锈钢。这些称重传感器具有各种合法贸易准确度等级，符合OIMLR60和NTEPHB44要求，从OIML3000e(OIMLC3)、NTEP5000d、OIML6000e(OIMLC6)、NTEP10000d直至OIML10000e(OIMLC10)。这些称重传感器适用于危险区域应用，通过ATEX、FM(FactoryMutual)、cFM（加拿大）、IECEx和NEPSI认证。它们符合IP67、IP68甚至IP69K防护等级的要求。这些称重传感器支持无砝码校准CalFree或CalFreePlus，只需单击即可完成料罐校准。PowerCell称重传感器支持诊断至称重传感器级别，可在出现故障时通知用户并支持快速修正问题。使用RunFlat，可模拟出现故障的称重传感器以继续生产。 北京精密压力传感器压力传感器是现在使用范围越来越广的一种测量仪器。

    二是因为冷热温度梯度产生的热应力与残余应力相互作用，使其重新分布而获得残余应力下降的效果。（3）恒温时效法恒温时效即可消除机械加工产生的残余应力，又能消除热处理引入的残余应力。LY12硬铝合金在200℃高温下恒温时效时，残余应力释放与时效时间关系表明，保温24小时，可使残余应力下降50%左右。2、机械法机械法稳定性处理，多在测力传感器电路补偿与调整和防护密封后，基本形成产品时进行。主要工艺有脉动疲劳法、超载静压法和振动时效法。（1）脉动疲劳法将测力传感器安装在低频疲劳试验机上，施加上限为额定载荷或120%额定载荷，以每秒3～5次的频率进行5000～10000次的循环。可有效的释放弹性元件、电阻应变计、应变粘结剂胶层的残余应力，提高零点和灵敏度稳定性的效果极为明显。（2）超载静压法理论上适用于各种量程，但在实际生产中以铝合金小量程测力传感器应用较多。其工艺是：在**的标准砝码加载装置中或简易的机械螺旋加载设备上，对测力传感器施加125%额定载荷，保持4～8小时，或施加110%额定载荷，保持24小时，两种工艺都可以达到释放残余应力，提高零点和灵敏度稳定性的目的。由于超载静压工艺所用设备简单，成本低，效果好。

    为使测力传感器在生产过程中渡过初始不稳定期，采用工艺手段模拟各种使用条件进行试验，使其尽快稳定的工艺称为稳定性处理，也称人工老炼试验。测力传感器释放残余应力的稳定性处理方法，除制造工艺流程中常用的温度老化和电老化处理外，主要有两种方法，即热处理法和机械法。1、热处理法多应用于铝合金测力传感器，在毛坯加工成弹性元件后进行，主要有反淬火法、冷热循环法和恒温时效法。（1）反淬火法国内也称深冷急热法。将铝合金弹性元件置于-196℃的液氮中，保温12小时后，迅速用新生的高速蒸汽喷射或放入沸水之中。因深冷与急热产生的应力方向相反而相互抵消，达到释放残余应力的目的。试验表明，采用液氮———高速蒸汽法可降低残余应力84%，采用液氮———沸水法可降低残余应力50%。（2）冷热循环法冷热循环稳定性处理工艺为-196℃×4小时/190℃×4小时，循环3次，可使残余应力下降90%左右，并且**结构稳定，微量塑性变形抗力高，尺寸稳定性好。释放残余应力的效果如此明显，一是因为加热时原子热运动能量增加，点阵畸变减小或消失，内应力下降，上限温度越高，原子热运动越大塑性越好，越有利于残余应力释放。通常被测量是非电物理量，输出信号一般为电量。

    (一)要解决的技术问题本发明的主要目的在于提供一种压力传感器制备方法，实现室温下的硅硅键合，消除了键合过程中高温处理给器件带来的影响，提高器件的可靠性。(二)技术方案本发明提供了一种压力传感器制造方法，该方法包括：对si衬底进行预处理；对进行预处理后的si衬底正面进行注入掺杂；对注入掺杂后的si衬底进行金属布线；对完成金属布线后的si衬底进行背面光刻刻蚀，得到感压膜片；进行硅硅室温键合，将具有感压膜片的si衬底与另一si衬底实现原子尺度的紧密结合。上述方案中，对si衬底进行预处理，包括：在si衬底正面干氧氧化一层sio2，之后再淀积一层sin，然后干法刻蚀掉正面的sin层，然后湿漂正面sio2层。上述方案中，对进行预处理后的si衬底正面进行注入掺杂，包括：对si衬底正面热氧化，之后进行p-光刻注入；在完成p-光刻注入的si衬底正面进行n+光刻注入；在完成n+隔离区的si衬底正面进行p+光刻注入；对注入掺杂后的si衬底进行高温推阱操作，实现注入离子的均匀掺杂，再用缓冲氧化物刻蚀液去除注前氧化层。其中，对si衬底正面热氧化，之后进行p-光刻注入，包括：对si衬底正面热氧化，之后在si衬底正面光刻p-压阻图形，注入b离子形成p-压阻区，去除表面上的光刻胶。压力传感器的综合精度误差和非线性误差的关系。浙江精密压力传感器

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