蜂房式线圈体积小，潜布电容量小，电感量较大，而且Q值又高，所以许多收音机的调谐线圈、振荡线圈和高频扼流圈等，都按这种方式绕制，效果比其他方式好。在工厂里，这种线圈一般是用蜂房车来绕制的。

线圈的电感量大小与有无磁芯有关。在空芯线圈中插入铁氧体磁芯，新型电子线圈厂，新型电子线圈厂，可增加电感量和提高线圈的品质因素。

铜芯线圈:铜芯线圈在超短波范围应用较多，利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量，新型电子线圈厂，这种调整比较方便、耐用。

    导致控制器三相输出线短路时的短路电流各不相同，所以设计者应跟据自己的实际电路和使用条件设计合理的保护时间。短路保护时间计算步骤：计算MOSFVBHET短路时允许的瞬态温升因为控制器有可能是在正常工作时突然短路，所以我们的设计应是基于正常工作时的温度来计算允许的瞬态温升。MOSFET的结点温度可由下式计算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面温度Tj：MOSFET结点温度Rth(jc)：结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。理论上MOSFET的结点温度不能超过175℃，所以电机相线短路时MOSFET允许的温升为：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根据瞬态温升和单脉冲功率计算允许的单脉冲时的热阻由图2可知，短路时MOSFET耗散的功率约为：P=Vds×I=25×400=10000W脉冲的功率也可以通过将图二测得波形存为EXCEL格式的数据，然后通过EXCEL进行积分，从而得到比较精确的脉冲功率数据。对于MOSFET温升计算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。Zθjc------热阻系数Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间由图3**下面一条曲线(单脉冲)可知，对于单脉冲来说。

    得到的散射参数；s2、获取待测中间继电器线圈的散射参数，将该散射参数分别加入s1建立的a组和b组中，进行聚类，若待测中间继电器的散射参数与a组为一类，则确定待测中间继电器正常，若待测中间继电器的散射参数与b组为一类，则确定待测中间继电器出现软故障；本实施方式的散射参数包括相频特性中相角为零对应的频率。本实施方式为了实现对中间继电器线圈的软故障检测，首先需要采集多组正常中间继电器和存在软故障的s参数，记录它们的相频特性中相角为零时对应的频率作为软故障检测时的比对分析对照组。对待测中间继电器进行软故障检测操作时，获取待测中间继电器的s参数，即：相频特性中相角为零时对应的频率，将此频率放入到提前构建好的样本数据对照组中，再利用聚类方法对所有数据进行聚类分析，根据**终聚类结果可以分析出待测继电器是否存在软故障。为了实现对中间继电器线圈的软故障检测，首先需要采集多组正常中间继电器和存在软故障的s参数，记录它们的相频特性中相角为零时对应的频率，即中间继电器线圈自身固有的谐振频率，将此谐振频率作为软故障检测时的比对分析对照组。推荐实施例中，本实施方式的s1包括：s11、准备一批完好无损的中间继电器。

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