到在常温不同日照时，当光照强度为200W/m2时，太阳电池最大功率点电压为380V，当光照强度为1000 W/m2时，太阳电池最大功率点电压约为420V。在光照强度为1000 W/m2时，当电池表面温度为50℃时，黑龙江硅太阳能电池片色差，最大功率点发生在电压为380V处，温度为25℃时，最大功率点发生在电压为520V处。由此可知，如果不采用控制方法，当光照强度和温度发生改变时，黑龙江硅太阳能电池片色差，太阳电池是不可能工作在当前情况下的最大功率点的，黑龙江硅太阳能电池片色差。

最大功率和输出功率是有区别的，目前单晶电池片的输出功率单片都在2.5W左右

现在工业生产太阳能电池片的硅片，都是P型衬底，意思是之前已经掺杂三族元素了，我们只需要进行磷扩散，就可以形成P-N结。

以n型半导体为底板结构的结晶硅类太阳能电池与以p型半导体为底板的结构相比，前者对杂质的抵抗性更大，在理论上更易提高能量转换效率。不过，此前许多结晶硅类太阳能电池几乎都采用以p型半导体为底板的结构。原因是在较厚的p型半导体上能够形成非常薄的n型半导体层。

德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）宣布，该机构研制的以n型半导体为底板，然后在其上面形成较薄的p型半导体层的单晶硅太阳能电池，其能量转换效率达到了23.4％。太阳能电池单元面积为2cm见方。

六、镀减反射膜

  抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。

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