冷冻干燥，然后煅烧，即得。所述模板剂包括十六烷基三甲溴化铵ctab或十六烷基三甲氯化铵ctac。所述ph调节剂包括氟化铵nh4f、三乙醇胺tea或氢氧化钠naoh。所述硅源包括正硅酸乙酯teos、正硅酸丙酯tpos或正硅酸丁酯tbos。所述搅拌反应转速为200～300rpm。所述离心速度为10000～10500rpm，离心时间为10～15min。所述煅烧的工艺参数为：升温速度为1～2℃/min，600℃煅烧5h。煅烧是为了除去msns中的模板剂。所述步骤(1)中刻孔剂包括碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠或碳酸氢钾。所述步骤(1)中刻孔剂水溶液浓度为～。所述步骤(1)中搅拌温度为21～25℃，搅拌时间为7～9h。所述步骤(1)中搅拌转速为200～300rpm。所述步骤(1)中离心速度为10000～10500rpm，离心时间为10～15min。所述步骤(1)中洗涤为：用去离子水和无水乙醇各洗涤三次。所述步骤(2)中硒源包括亚硒酸钠na2seo3或硒酸钠na2seo4，河南无镍封孔剂采购。所述步骤(2)中硒源和抗坏血酸摩尔比为1:3～1:4，河南无镍封孔剂采购。所述步骤(2)中反应为：出现沉淀后继续反应15min。所述步骤(3)中煅烧温度为235℃，煅烧时间为5h，河南无镍封孔剂采购。所述步骤(3)中洗涤为：用去离子水反复洗涤静置直到废液为澄清透明。所述步骤(3)中se-msns的se负载量为5wt.％-45wt.％；se-msns粒径为±。

    低黏度高性能真空含浸封孔剂Versol-HS-02T/HS-03T1.产品介绍本公司开发的低黏度高性能真空含浸封孔剂Versol-02T/03T是针对含浸、封孔的目的而设计的特殊化学品，以各种不同特殊官能基硅烷偶合剂与奈米化合物合成的高渗透性、高耐磨性、耐高温性的含浸封孔剂，特别适合于铁系、铝系、铜系、合金系的粉末冶金封孔剂，以及铸铁系及铝系的铸件封孔剂。经过真空含浸加工处理后都能藉毛细管原理渗入工件内部深层而达到密封的目的，提高气密性防气漏渗漏、强化机械切削加工性、增加机械抗压强度、提高加工公差尺寸准确性、增进零件外观质感及耐久性。Versol-02T/03T为硅烷偶合剂与奈米化合物合成的双性官能基，一方面在有机物形成化学键结，另一方面在无机物产生键结，因此能与铁、铝、锌、镁等金属形成化学交联而产生坚强的化学键结，是优异产品质量**重要的根本要求。而非一般含浸封孔厂所用的环氧树脂或更差一等的树脂封孔剂，此类树脂是一种大分子量的高分子，对于工件只能再浅浅的表层形成一种披覆型的树脂，无法渗透到工件的内部，因此工件封孔后，往往再电镀时不良率高而且使用在高温高摩擦的作业条件下很容易使电镀膜剥离，在耐盐雾条件测试下也往往达不到完美的要求。

    称取扩孔的、30wt.％、40wt.％和45wt.％se-msns各、未加入分散剂合成的纯消灭备用。取100μl菌液加入到装有25mllb培养基的锥形瓶中和材料共培养，材料组和对照组均设置3个平行样。共培养时间设置为12h、24h、36h、48h和60h。共培养时间到达后，取菌悬液用pbs稀释，稀释梯度依次为100，10-1，10-2到10-8。点样法判断抑菌性，用移液吸取不同浓度的稀释液各10μl依次点样到琼脂培养基上，拍照并计算样品的抑菌率。次测试后，样品进行回收。消灭、分散处理后，按照上述步骤进行二次测试，并计算率，此步骤重复2-3次。抑菌率＝(c-t)/c×100％式中：c-对照组细菌菌落的平均值；t-材料组共培养后计算得到的细菌菌落平均值。图1为载se量分别为30wt.％、35wt.％、40wt.％和45wt.％se-msns在ph分别为，可以看出se-msns材料中的se可以长期、稳定地释放，并且，随着载se量的增加，se的累积释放量也在增加。图2a可以看出未经刻蚀的msns在p/p0为，符合iv型等温线特点，说明该材料有介孔结构。由bjh方法得到的孔径分布图2b可看出，未经刻蚀的msns平均孔径为，比表面积为，平均孔容为。经过刻蚀的msns孔径分布在，比表面积为，平均孔容为。图3可以看出se-msns保持完整的球状，分散度良好。

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