以 N 型硅片为基础，有望演化出多条 N 型电池发展方向，光伏电池片制备工艺向半导体升级。从技术路线发展来看，由于 P 型电池片的转换效率提升存在瓶颈，P 型电池片向 N 型电池片转型或势在必行。目前 N 型电池片技术主要包括 N-Pert、TopCon、异质结和 IBC 四大技术方向。光伏发电基于光生伏特原因，机理和半导体接近，随着电池制备技术的升级，光伏电池工艺逐步向半导体工艺升级。

单晶替代多晶推动光伏完成平价上网进程，从 P 型向 N 型跨越迎来下一次光伏技术**。从历史来看，得益于单晶硅片取代多晶硅片的大趋势，单晶硅片厂商过去几年的产能和销量增长远高于行业新增装机增长。从当前产能布局来看，单晶产品渗透率或即将达到瓶颈，后续单晶硅片渗透率提升所带来的超额收益或将减少，安徽薄膜光伏组件EVA胶膜。但是随着N 型硅片技术路线的逐步确认，安徽薄膜光伏组件EVA胶膜，N 型产品渗透率提升或将带来下一轮新的超额收益，安徽薄膜光伏组件EVA胶膜。积极布局 N 型硅片，并实现 N 型硅片的降本增效或是当前硅片厂商的当务之急。

根据《中来股份 N 型单晶双面 TopCon 技术与产业先进性介绍》，TopCon 电池片具备以下技术特点：

5) 低损伤金属化接触技术

优化的金属浆料体系，减少金属对多晶硅层的破坏，比较大限度发挥多晶硅钝化结构的优点；改善金属浆料与多晶硅介面电流传输机制，降低接触电阻；优化的烧结曲线，保持填充因子(FF)的同时比较大限度提升电池开路电压(Voc)；采用双层金属电极结构，下层采用点接触式烧穿型浆料，保证接触电阻的同时有效降低金属-半导体复合，上层浆料采用线式非烧穿型浆料，提供优良的线电阻。

3、光伏组件测试

1）组串绝缘电阻测试。进行光伏组串绝缘电阻测试前，应将光伏组件与其他电气设备的连接断开。光伏组串中载流部分对地（外壳）绝缘电阻应≥20MΩ。

2）相同测试条件下的相同光伏组串之间的开路电压偏差不宜大于2％，但比较大偏差不应超过5V。

在发电条件下使用钳形电流表对汇流箱内光伏组串的电流进行测试，相同测试条件下且辐照度≥700W／㎡时，相同光伏组串之间的电流偏差不应大于5％。

3）在太阳辐照度良好.且无阴影遮挡时，测量同一光伏组件外表面（组件正上方区域）在温度稳定后，温度差异应小于20℃。

4）光伏组串测试完成后，应按照下表的格式填写记录。

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