太阳能分为晶硅电池和非晶硅电池，晶硅电池分为多晶和单晶硅电池（尺寸有125和156两种），非晶硅薄膜电池按原料分很多种：砷化镓，北京焊带太阳能电池片色差，北京焊带太阳能电池片色差、碲化镉、铟铜镓锡等等！！

单晶效率（18-19%）比多晶高（16.5%-17.5%),单晶成本比多晶高，北京焊带太阳能电池片色差!

晶体硅电池成本比非晶硅电池高，效率也比非晶硅（9%-11%）高，但非晶硅比晶体硅有特色：比如非晶柔性电池、透光效果等，是晶体硅做不到的！

太阳能电池比较大的优点是绿色、环保、寿命长（60年），缺点是投资大、资源间歇性！

二、表面制绒

单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。

太阳能电池片加工中的掺杂与扩散原理的原理：

半导体的掺杂扩散，主要是依靠了离子从高浓度像低浓度区域扩散的原理。在太阳能的硅片中，把杂质原子的气相源靠近硅片，加热后，使其慢慢扩散，杂质原子会慢慢的深入硅片中，浓度从硅片边缘到内部是逐渐降低的。

半导体中的掺杂是指在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。

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