太阳电池的主栅是不确定数目的，这都是随时代而变换的，以前是两主栅，后面有三主栅，还有五主栅，其实也有研究过无主栅的，主栅的主要作用与细栅类似，都是收集载流子，但是呢，主栅的数量及宽度是要追求一个比较好化的，既要满足足够多和粗来讲全部的有效载流子收集起来，又要尽可能的少和细来尽量减少对太阳光的阻挡作用。因此需要在这之间找一个平衡。因为背面不涉及到采光问题（普通电池），所以一般设计成全铝背场，黑龙江单晶硅太阳能电池片分类，但是也得要载流子导出来啊，所以会有背银的存在，全铝背场和背银都是背电极。主栅和背面的背银都是为了焊接用的，你看到的封装好的电池，前面的主栅上是焊了一条焊带的，背面也是，背银的作用就是为焊带焊接导出载流子而用的，需要注意的是细栅和主栅是丝网印刷印上去的，而你看到封装好的电池的主栅上覆盖了一层焊带，这是焊上去的，黑龙江单晶硅太阳能电池片分类。至于你说的正极负极，这跟栅线的数目没有关系，黑龙江单晶硅太阳能电池片分类，这主要与电池片的类型有关，P型电池片的正极是背电极，前电极（主栅细栅）就是负极。

三、扩散制结

  太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的**设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产**基本也是**关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。

六、镀减反射膜

  抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。

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