激光二极管------激光二极管发展趋势

      在上世纪八十年代，贵州650nm激光二极管模组，**的激光二极管的输出功率已经在100mW以上，并达到了39％的转化效率。等到了90年代，美国人又一次将指标提高一个新的水平，达到了45％的转化效率，就输出功率来看，也从W到了KW级的转变。

      目前各国在研制项目的支持下，半导体激光器的芯片结构、外延生长和器件封装等激光器技术均有了长足发展，单元器件的性能也实现了重大突破：电光转换效率达70％以上，很低的光束发散角，单巴条连续输出功率超过千瓦，采用碳纳米（CN）热沉使激光器的冷却效率比传统的半导体巴条安装技术可提高30％，贵州650nm激光二极管模组。100μm条宽单管输出功率达到24．6W，大功率连续工作寿命长达数万小时，贵州650nm激光二极管模组。

      高-效能大功率的半导体激光器也迅速发展为全固化激光器，从而使得LDP固体激光器获得了全新的发展机遇和前景。

激光二极管------辐射过程

     在讲激光产生机理之前，先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程，

     一时处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为自发辐射；

     二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为受激辐射；

     三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。

     自发辐射，即使是两个从某一高能态向低能态跃迁的粒子，发出光的相位、偏振、发射方向也不同，但受激辐射就不同，当位于高能态的粒子在外来光子的激发下向低能态跃迁，发出在频率、相位、偏振等与外来光子的光。在激光器中，发生的辐射受激辐射，它发出的激光在频率、相位、偏振等一样。的受激发光系统，即有受激辐射，也有受激吸收，只有受激辐射占优势，才能把外来光放大而发出激光。而光源中都是受激吸收占优势，只有粒子的平衡态被打破，使高能态的粒子数大于低能态的粒子数（称为离子数反转），才能发出激光。

激光二极管------LD及PD检测

      激光二极管检测_检测ＰＤ部分。 激光二极管的ＰＤ部分实质上是一个光敏二极管，用万用表检测方法如下：用Ｒ×１ｋ挡测其阻值，若正向电阻为几千欧姆，反向电阻为无穷大，初步表明ＰＤ部分是好的；若正向电阻为０或为无穷大，则表明ＰＤ部分已坏。若反向电阻不是无穷大，而有几百千欧或上千千欧的电阻，说明ＰＤ部分已反向漏电，管子质量变差。

      激光二极管检测_检测ＬＤ部分。 用万用表的Ｒ×１ｋ挡测ＬＤ部分的正向阻值，即黑表笔接公共端ｂ，红表笔接ａ脚，正向阻值应在１０ｋW～３０ｋW，反向阻值应为无穷大。若测得的正向阻值大于５５ｋW，反向阻值在１００ｋW以下，表明ＬＤ部分已严重老化，使用效果会变差。

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