安装槽2的内部通过六个线圈隔断条3分割为十六个发热槽7，发热槽7的内部均固定安装有环形线圈模块4，环形线圈模块4位于线圈隔断条3的内侧，环形线圈模块4由七个电磁线圈401组成，七个电磁线圈401依次电连接，通过设置在安装板1上连接的环形线圈模块4，且环形线圈模块4在安装板1内为阵列状，规则排列，且环形线圈模块4由换形状的七个电磁线圈401环形组成，从而使得安装板1内的电磁线圈401通过导线6的电连接，进行发热，且安装板1上开设的安装槽2由六个线圈隔断条3分隔成十六个相对称的发热槽7，且环形线圈模块4均匀安装于十六个相对称的发热槽7内部，从而使得装置的发热效果相对均匀，山西电子线圈全国发货，使得烹饪效果得到了极大的提高，环形线圈模块4的外侧固定安装有防辐射外环5，防辐射外环5与环形线圈模块4的连接设置有隔热圈8，隔热圈8的内侧固定连接于环形线圈模块4的外侧，隔热圈8的外侧固定连接于防辐射外环5的内侧，十六个环形线圈模块4均固定连接有导线6，十六个环形线圈模块4通过导线6串联，导线6与环形线圈模块4电连接，山西电子线圈全国发货，山西电子线圈全国发货，通过开设在安装板1上的安装槽2，且环形线圈模块4与线圈隔断条3均位于安装槽2的内部，且线圈隔断条3把安装槽2分为十六个发热槽7。

谐振电容: c 单位:PF 本题建义c=500...1000pf 可自行先决定，或由Q值决定

谐振电感: l 单位: 微亨

线圈电感的计算公式

1。针对环形线圈,有以下公式可利用: (铁芯)

L=N2.AL L= 电感值(H)

H-DC=0.4πNI / l N= 线圈匝数(圈)

AL= 感应系数

H-DC=直流磁化力 I= 通过电流(A)

l= 磁路长度(cm)

l及AL值大小，可参照Microl对照表。例如: 以T50-52材，线圈5圈半，其L值为T50-52(表示OD为0.5英吋)，经查表其AL值约为33nH

L=33.(5.5)2=998.25nH≒1μH

当流过10A电流时，其L值变化可由l=3.74(查表)

H-DC=0.4πNI / l = 0.4×3.14×5.5×10 / 3.74 = 18.47 (查表后)

即可了解L值下降程度(μi%)

2。介绍一个经验公式

L=(k*μ0*μs*N2*S)/l

其中

μ0 为真空磁导率=4π*10(-7)。(10的负七次方)

μs 为线圈内部磁芯的相对磁导率，空心线圈时μs=1

N2 为线圈圈数的平方

S 线圈的截面积，单位为平方米

l 线圈的长度， 单位为米

k 系数，取决于线圈的半径(R)与长度(l)的比值。

    导致控制器三相输出线短路时的短路电流各不相同，所以设计者应跟据自己的实际电路和使用条件设计合理的保护时间。短路保护时间计算步骤：计算MOSFVBHET短路时允许的瞬态温升因为控制器有可能是在正常工作时突然短路，所以我们的设计应是基于正常工作时的温度来计算允许的瞬态温升。MOSFET的结点温度可由下式计算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面温度Tj：MOSFET结点温度Rth(jc)：结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。理论上MOSFET的结点温度不能超过175℃，所以电机相线短路时MOSFET允许的温升为：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根据瞬态温升和单脉冲功率计算允许的单脉冲时的热阻由图2可知，短路时MOSFET耗散的功率约为：P=Vds×I=25×400=10000W脉冲的功率也可以通过将图二测得波形存为EXCEL格式的数据，然后通过EXCEL进行积分，从而得到比较精确的脉冲功率数据。对于MOSFET温升计算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。Zθjc------热阻系数Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间由图3**下面一条曲线(单脉冲)可知，对于单脉冲来说。

免责声明： 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息，均来源于其对应的用户，本网对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题，请及时与本网联系，我们将核实后进行删除，本网站对此声明具有最终解释权。