激光二极管------激光技术发展

      众所周知，激光技术已深入到国民经济和**建设的各个领域。光盘（CD）的巨大市场驱动着半导体激光器的技术发展，红光半导体激光二极管的诞生又将激光技术推向新的发展阶段。目前，世界上有众多的厂家纷纷开发生产激光二极管。激光二极管产品按波长和功率分类已形成系列，并继续向短波和大功率发展。

      由激光二极管配以光学和冷却系统构成的小型红光半导体激光器（光源），浙江808nm激光二极管品牌，浙江808nm激光二极管品牌，正被大量用于投线仪，浙江808nm激光二极管品牌，扫描仪，医疗，瞄准指示等行业。

激光二极管------激光安全等级Class III& Class IV

     Class III：中输出激光，光束若直接射入眼睛，会产生伤害，基于某些安全的理由，进一步分为IIIＡ和IIIＢ级。

      IIIＡ级为可见光的连续激光，输出为1-5mw的激光束，光束的能量密度不要超过25Ｗ／ｍ－ｍ，避免用远望设备观察IIIＡ激光，这样可能增大危险。IIIＡ的典型应用和Class II级有很多相同之处，如激光教鞭，激光扫描仪等。

      III B级为5-500mＷ的连续激光，直接在光束内观察有危险。但**小照射距离为13ｃｍ，**长照射时间十秒以下为安全。IIIB激光的典型应用如光谱测定和娱乐灯光表演等。

      ClassIV：高输出连续激光（大于500mW），高过第三级，有火灾的危险，扩散反射也有危险。典型应用如外科手术，研究，切割，焊接和显微机械加工等。

激光二极管------结构

      半导体激光二极管的基本结构如图所示，垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可以是半导体晶体的解理面，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。

  半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入N区，这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合，从而发射出波长为λ的光子

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