到在常温不同日照时，当光照强度为200W/m2时，太阳电池最大功率点电压为380V，当光照强度为1000 W/m2时，太阳电池最大功率点电压约为420V，黑龙江焊带太阳能电池片瓦数。在光照强度为1000 W/m2时，当电池表面温度为50℃时，最大功率点发生在电压为380V处，温度为25℃时，最大功率点发生在电压为520V处。由此可知，如果不采用控制方法，黑龙江焊带太阳能电池片瓦数，当光照强度和温度发生改变时，太阳电池是不可能工作在当前情况下的最大功率点的，黑龙江焊带太阳能电池片瓦数。

最大功率和输出功率是有区别的，目前单晶电池片的输出功率单片都在2.5W左右

太阳能电池片加工中的掺杂与扩散原理的原理：

半导体的掺杂扩散，主要是依靠了离子从高浓度像低浓度区域扩散的原理。在太阳能的硅片中，把杂质原子的气相源靠近硅片，加热后，使其慢慢扩散，杂质原子会慢慢的深入硅片中，浓度从硅片边缘到内部是逐渐降低的。

半导体中的掺杂是指在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。

1、 什么是太阳能电池

答： 太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。

晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99.99998%，也就是一千万个硅原子中**多允许2个杂质原子存在。硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。从二氧化硅到太阳能电池片，涉及多个生产工艺和过程，一般大致分为：二氧化硅—>冶金级硅—>高纯三氯氢硅—>高纯度多晶硅—>单晶硅棒或多晶硅锭—>硅片—>太阳能电池片。

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