即驱动使能信号还未有效、呈低电平时，此时车用电磁阀t1和电阻r1构成串联分压电路，由于车用电磁阀t1断路，因此车用电磁阀t1表现出很高的内阻，所以t1和r1的公共端a端的电压非常高，因此b端电压也保持在逻辑高的电压范围内，也即此时b端给cpld控制器的诊断状态位为高电平。当驱动使能信号高电平有效时，上海多功能电子线圈，a端的电压和b端电压都保持在逻辑高的电压范围内，此时b端给cpld控制器的诊断状态位为高电平。比较图2和图3可以看出，当驱动使能信号还未有效时，正常情况下诊断状态位呈低电平，出现断路故障后诊断状态位由低电平变为高电平；而在驱动使能信号高电平有效时，无论是正常情况还是断路故障时，诊断状态位都为高电平。因此cpld控制器在车用电磁阀t1未驱动时，也即驱动使能信号还未有效时，上海多功能电子线圈，结合诊断状态位的逻辑电平以确定车用电磁阀t1的断路状态。具体的，cpld控制器在驱动使能信号无效且诊断状态位为高电平时确定车用电磁阀t1出现断路故障，此时通过断路反馈输出端向mcu反馈有效的断路反馈状态位，也即如图3所示，上海多功能电子线圈，断路反馈状态位由低电平变为高电平，同时，控制驱动控制信号为低电平无效状态、保持关闭，切断驱动输出。mcu读取断路反馈状态位后，发出清零信号。

    电动车无刷电机控制器短路的工作模型解决方案：温升公式：Tj=Tc+P×Rth(jc)根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间工作温度越高短路保护时间就应该越短1短路模型及分析短路模型如图1所示，其中*画出了功率输出级的A、B两相(共三相)。Q1和Q3为A相MOSFET，Q2和Q4为B相MOSFET，所有功率MOSFET均为AOT430。L1为电机线圈，Rs为电流检测电阻。当控制器工作时，如电机短路，则会形成如图1中所示的流经Q2，Q3的短路电流，其电流值很大，达几百安培，MOSFET的瞬态温升很大，这种情况下应及时保护，否则会使MOSFET结点温度过高而使MOSFET损坏。短路时Q3电压和电流波形如图2所示。图2a中的MOSFET能承受45us的大电流短路，而图2b中的MOSFET不能承受45us的大电流短路，当脉冲45us关断后，Vds回升，由于温度过高，*经过10us的时间MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路电流迅速上升。由图2我们可以看出短路时峰值电流达500A，这是由于短路时MOSFET直接将电源正负极短路，回路阻抗是导线，PCB走线及MOSFET的Rds(on)之和，其数值很小，一般为几十毫欧至几百毫欧。2计算合理的保护时间在实际应用中，不同设计的控制器，其回路电感和电阻存在一定的差别以及短路时的电源电压不同。

    本发明涉及电子电路领域，尤其是一种车用电磁阀的故障检测电路。背景技术：车用电磁阀是高压共轨柴油机电控喷射系统的重要部件，为了保证车用电磁阀的运行可靠性，需要设置车用电磁阀故障检测电路来检测车用电磁阀的运行状态。目前通用的做法是电磁阀故障检测电路由电流调理电路或者**故障检测芯片实现，这些电路功能稳定，能满足基本设计需求，但是结构复杂而且成本较高，随着电控技术的发展，电控单元会集成大量的车用电磁阀驱动电路，相应就要使用更多的电流调理电路或者**故障检测芯片，比较大增加了电路复杂程度以及设计成本。技术实现要素：本发明人针对上述问题及技术需求，提出了一种车用电磁阀的故障检测电路，本发明的技术方案如下：一种车用电磁阀的故障检测电路，该故障检测电路包括mcu、cpld控制器、车用电磁阀驱动电路、车用电磁阀、电阻、第二电阻、第三电阻以及二极管，mcu的驱动使能端连接cpld控制器并输出驱动使能信号，cpld控制器的驱动输出端连接车用电磁阀驱动电路并输出驱动控制信号；车用电磁阀的一端连接电阻、另一端接地，电阻的另一端接+24v电压，车用电磁阀和电阻的公共端连接车用电磁阀驱动电路的输出端。

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