四、去磷硅玻璃

  该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，辽宁双晶太阳能电池片组件，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，

  这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统，辽宁双晶太阳能电池片组件、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸，辽宁双晶太阳能电池片组件、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。

五、等离子刻蚀

  由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空系统抽出腔体。

太阳能电池片虚焊、过焊原因与影响

1.焊接温度过多或助焊剂涂抹过少或速度过快会导致虚焊 2.焊接温度过高或焊接时间过长会导致过焊现象.

对太阳能组件的影响： 1.虚焊在短时间出现焊带与电池片脱层，影响组件功率衰减或失效, 2.过焊导致电池片内部电极被损坏，直接影响组件功率衰减降低组件寿命或造成报废 预防措施： 1.确保焊接机温度、助焊剂喷射量和焊接时间的参数设定. 并要定期检查, 2.返修区域要确保烙铁的温度、焊接时间和使用正确的助焊笔涂抹助焊剂. 3.加强EL检验力度，避免不良漏失下一工序

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