ESD二极管的工作原理主要基于其独特的PN结结构和反向击穿特性。当ESD二极管两端的电压超过其反向击穿电压（VBR）时，PN结会发生反向击穿，此时二极管会迅速从高阻状态转变为低阻状态，为静电电荷提供一条低阻抗的放电通路。随着静电电荷的迅速释放，二极管两端的电压会逐渐降低，当电压降至低于VBR时，PN结会恢复高阻状态，等待下一次静电放电冲击的到来。值得注意的是，ESD二极管在反向击穿时并不会像普通二极管那样长久损坏。反向击穿电压（VBR）是ESD二极管开始导通并提供低阻抗放电通路的电压阈值。在选择ESD二极管时，需要确保VBR值低于被保护电路所能承受的较大电压，以防止在正常工作条件下误触发。VBR值越低，表示ESD二极管对静电放电冲击的控制能力越强。在正常工作条件下（即无静电放电冲击时），ESD二极管会存在一定的漏电流。这个漏电流应该尽可能小，以避免对电路的正常工作产生影响。漏电流的大小是衡量ESD二极管性能的一个重要指标。

‌ESD二极管的工作方式分为正常工作状态和静电放电状态两种‌。在正常工作状态下，ESD二极管处于正向偏置状态，阻抗极小，可以看作一个导线。而在静电放电状态下，当外界静电放电接触到ESD二极管时，会形成高压脉冲，使二极管的阻抗急剧下降，从而吸收静电放电的能量‌。‌ESD二极管具有超快响应时间，通常小于1ns‌。这使得它能够在极短的时间内对静电放电做出反应，有效保护电子元器件‌。ESD二极管的电容值极低，通常小于0.05p‌，不会对电路的高频特性和信号传输产生影响。同时，它的漏电流也极低，小于0.1nA，确保了电路的稳定性和可靠性。

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