首先滞后桥臂上开关管零电压开通时，只有谐振电感提供换流的能量。谐振电感储能必须大于滞后桥臂上谐振电容储能加上变压器原边寄生电容储能，在实际当中， 变压器的原边匝数较少， 且原边大都用多股漆包线并绕。同时在滞后桥臂上开关管开通时，原边电流近似为恒定，须在开关管触发导通前谐振电容完成充放电。现在死区时间取为1.2us，结合滞后桥臂上开关管工况，谐振电感不仅为谐振电容提供充放电的能量，还向电源反馈能量，故电流ip小于超前桥臂上开关管开通时对应的电流，计算可得：Ip(lag)==10.6μH。结合谐振电感的参数协调确定谐振电容的值为10μH。方向相反，从而在磁芯中保持磁通为零。苏州霍尔电压传感器价格大全

对于前端储能电容还需要考虑的参数是其耐压值，直流母线上电压峰值为373v，留一定裕量，可以选择耐压值为500v的电解电容作为储能电容。在电力电子变换和控制电路中，都是以各种电力半导体器件为基础的。我们在设计电路时，也有很多可供选择的电力半导体器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每种元件都有其自身特点以及**适合应用场合。例如MOSFET开关频率高，动态响应速度快，但其电流容量相对小，耐压能力低，适用于低功率、高频的场合[13][14]。门级可关断晶闸管具有自关断能力、电流容量大、耐压能力好，适用于大功率逆变场合。IGBT的性能相对来说是介于两者之间，有较高的工作频率（20K以上），有较大的电流容量和较好的耐压能力。在本实验中，装置的功率在10kW以下，频率在20K以下可以满足要求，故而综合考虑选用全控、压控型器件IGBT作为开关管。常州新能源汽车电压传感器厂家我们知道一个电容器由两个导体(或两个板)组成。

为了得到高精度、可控、快速反应的电源，首先想到的解决方案便是利用电力电子变换器。电力电子技术经过几十年的发展，已经成为电力参数变换和控制的基本手段，尤其伴随着新型电力电子器件的出现和发展，以及高频化、软开关和集成化技术的发展应用，电力电子技术可以满足各种类型的电源要求。直流变换器是电力电子变换器的重要的一部分， 电力电子中 DC/DC 变换的方案 也有很多。按照是否具有电气隔离的方式分类， 直流变换器可以分为隔离型和非隔 离型两类。隔离型的直流变换器也可以看作为是非隔离型变换器加入变压器转变而 来的。

在实际的系统中，考虑到变压器有原边漏感的存在，实际选用的谐振电感值比计算的谐振电感值要小，工程调试中可以以计算得到的谐振电感值为基准，将谐振电感设计为可调电感，根据电路的实际情况调动谐振电感值来配合谐振电容完成零开通。本电路的仿真分为两个阶段，第一阶段仿真不纳入全桥变换器变压器的副边，末端的负载用一个等效至原边的电阻代替。此阶段仿真主要是为了实现超前桥臂和滞后桥臂的所有开关管的软开关，并且通过仿真的手段观察开关管实现软开关与电路中哪些参数关系**紧密，以及探讨实现软开关的临界条件。通过观测各个开关管承受电压、流通电流和驱动信号之间的关系，加强对移相全桥电路的理解，为后续的参数设置和电路调试提供理论基础。而折射两光波之间的相位差与外施电压成正比。

随着现代实验研究不断的深入和科学的不断发展，科学家对强磁场环境的要求也越来越高，从而对脉冲强磁场的建设也提出了更高的要求。在欧美以及日本等发达国家已经较早建立了强磁场实验室，主要有美国国家强磁场国家实验室、法国国家强磁场实验室、德国德累斯顿强磁场实验室、荷兰莱米根强磁场实验室以及日本东京大学强磁场实验室。我国强磁场领域起步较晚，近年来，华中科技大学脉冲强磁场中心开展了大量  关于脉冲强磁场的研究工作。有两种方法可以将敏感元件的电阻转换为电压。无锡功率分析仪电压传感器联系方式

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现假设PWM1和PWM2均设置为高电平有效，下溢中断发生时，赋值CMPR1=0，CMPR1=a。下溢中断子程序结束后返回主程序，计数寄存器T1CNT从0开始计数，由于CMPR1=0，发生比较中断，PWM1从低电平变为高电平。计数寄存器T1CNT继续增加至a时，PWM2从低电平变为高电平。由此，PWM2和PWM1之间的移相角δ为，所以改变移相角度实际上改变CMPR2的赋值a。20MHz对应50ns。选择开关频率为20KHz,对应的定时器T1设为连续增减计数模式，则T1的周期寄存器的值500.比较大移相角为180度，对应的数字延迟量Td为500，可得移相精度180/500=0.36。苏州霍尔电压传感器价格大全

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