由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点： 1. 在使用模块时，北京功率IGBT模块厂家直供，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，北京功率IGBT模块厂家直供，在配线未接好之前请先不要接上模块; 3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极比较大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过，北京功率IGBT模块厂家直供。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。

igbt功率模块是以绝缘栅双极型晶体管（igbt）构成的功率模块。由于igbt模块为mosfet结构，igbt的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机，变频器，变频家电等领域。igbt功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率mosfet的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点非常显着的特性，**近西门子公司又推出低饱和压降（2.2v）的npt-igbt性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦己在开发研制新品种。应用： igbt是先进的第三代功率模块，工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎己替代一切其它功率器件，例scr.gto,gtr,mosfet,双极型达林顿管等泪今功率可高达1mw的低频应用中，单个元件电压可达4.okv（pt结构）一6.5kv（npt结构），电流可达1.5ka,是较为理想的功率模块。

IGBT功率模块的注意事项： a,栅极与任何导电区要绝缘，以免产生静电而击穿，所以包装时将g极和e极之间要有导电泡沫塑料，将它短接。装配时切不可用手指直接接触，直到g极管脚进行长久性连接。 　b、主电路用螺丝拧紧，控制极g要用插件，尽可能不用焊接方式。 　c、装卸时应采用接地工作台，接地地面，接地腕带等防静电措施。 　d、仪器测量时，将1000电阻与g极串联。 　e、要在无电源时进行安装。 　f,焊接g极时，电烙铁要停电并接地，选用定温电烙铁相当合适。当手工焊接时，温度2601c15'c.时间（10士1）秒，松香焊剂。波峰焊接时，pcb板要预热80'c-]05'c,在245℃时浸入焊接3-4 IGBT功率模块的发展趋势： igbt发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的，特别是发展高压变频器的应用，简化其主电路，减少使用器件，提高可靠性，降**造成本，简化调试工作等，都与igbt有密切的内在联系，所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发，予估近2-3年内，会有突破性的进展。目前已有适用于高压变频器的有电压型hv-igbt,igct,电流型sgct等。

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