微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，步进电机插板阀Stepper Motor Gate Valve，-产品范围：2.5“~10”-压力控制-使用步进电机Stepper Motor GV,- Product Range : 2.5” ~ 10”- Pressure Controlled- Using Stepper Motor，用步进电机/控制器操作阀门-通过步进电机/控制器精确控制阀门的压力-根据产品的不同，控制器可以安装在客户需要的地方，微泰，步进电机插板阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。微泰步进电机插板阀Stepper Motor Gate Valve有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。真空闸阀广泛应用于各个行业，包括半导体制造、研发、分析类仪器和真空镀膜。化学气相沉积闸阀气动阀

微泰，超高压闸阀应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• 蚀刻• Diffusion•CVD等设备上。期特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:研发和工业中的UHV隔离。高压闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：CF、连接方式：焊接波纹管（AM350或STS316L）、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：铜垫圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。HVA闸阀I型转移阀这些真空阀可以手动、气动或电子方式驱动，从而可以根据具体应用进行多功能控制。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，多定位闸阀。多定位闸阀是一种利用压缩空气或氮气控制闸阀位置的阀门。它在阀门的顶部有一个内置控制器，可以在本地和远程模式下操作。它还具有紧急关闭功能，以应对泵停止或CDA压缩干空气丢失的情况。其特点之一是能够远程检查阀门状态，并可用于具有不同法兰类型的各种工艺。多定位闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，适用于需要压力控制的所有加工领域。采用手动调节控制装置控制，用户可直接控制闸门的开启和关闭，以调节压力。微泰半导体多定位闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。

微泰，控制系统闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是• 主体材质：不锈钢• 紧凑型设计• 带步进电机的集成压力控制器• 应用：需要压力控制和隔离的地方。控制系统闸阀规格如下：法兰尺寸（ID）：1.5英寸~ 10英寸、材料：阀体(STS304)/机构STS304、STS420、馈通：旋转馈通、执行器：步进电机、氦泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、压力范围：1×10-8 mbar to 1.4 bar、闸门上的压差≤1.4bar、维护前可用次数：100,000次、阀体温度≤ 150 °、控制器≤35°C、安装位置：任意、接口RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，三重防护闸阀应用于• Evaporation（蒸发）等设备。

微泰，专门用闸阀应用于• Evaporation• Sputtering• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• Coating• Etch• Diffusion（扩散）•CVD等设备上。可替代VAT闸阀。期特点是*使用维修配件工具包易于维护*将电磁阀和位置传感器连接到15针D-Sub*锁定功能*限位开关*•速度控制器&电磁阀（2Port+N2Port）用不锈钢管连接（φ6）*应用:泵隔离,产品工艺水平要求高的地方。专门用闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸：4英寸~ 8英寸、法兰类型：ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 0.3 sec ~2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：4˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、Micron,Global Foundries、英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体业绩。

真空闸阀由一个滑动门或板组成，可以移动以阻止或允许通过真空阀体，从而有效地将腔室与外部环境隔离。HVA闸阀I型转移阀

闸阀不易产生水锤现象。原因是关闭时间长。化学气相沉积闸阀气动阀

微泰，高压闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:隔离泵。高压闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 14英寸、法兰类型：CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：250,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。化学气相沉积闸阀气动阀

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