微泰，三(多)位闸阀、三位闸阀、多位闸阀应用于• 蒸发•溅射• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• 涂层• 蚀刻• 扩散•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*3个位置功能-阀门打开,阀门关闭,第3位置*设备可通过连接到阀门的9 Pin D-Sub来读取阀门状态*手动和气动阀门组合*应用:需要压力控制的任何其他过程*应用:需要压力控制的地方。三位闸阀、多位闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸：2.5英寸~ 12英寸、法兰类型ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：2.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 60 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩控制系统闸阀。控制系统闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，可以在高真空环境中实现精确的压力控制。CVD闸阀气动阀

微泰，控制系统闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是• 主体材质：不锈钢• 紧凑型设计• 带步进电机的集成压力控制器• 应用：需要压力控制和隔离的地方。控制系统闸阀规格如下：法兰尺寸（ID）：1.5英寸~ 10英寸、材料：阀体(STS304)/机构STS304、STS420、馈通：旋转馈通、执行器：步进电机、氦泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、压力范围：1×10-8 mbar to 1.4 bar、闸门上的压差≤1.4bar、维护前可用次数：100,000次、阀体温度≤ 150 °、控制器≤35°C、安装位置：任意、接口RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。电动闸阀法兰闸阀微泰，高压闸阀应用于• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）•CVD（化学气相沉积）等设备上。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，气动多位置闸阀，气动多定位闸阀，多定位插板阀，Pneumatic Multi Position 其特点是1，全开和关闭位置使用带有位置发射器的气动电磁阀进行控制；2，所有位置控制都由控制器进行操作。1)控制类型-全开：高速闸门全开操作-全闭：高速闸门全闭操作-位置（POS.）控制：将闸门移动到设定的位置值；2)操作时间-完全打开↔完全关闭：<2秒（取决于速度控制器设置)-位置（POS。）控制： 0%↔100%工作，<MAX18秒（偏差： < ±0.5%）。微泰气动多位置闸阀，气动多定位闸阀，多定位插板阀，Pneumatic Multi Position，有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。

微泰，高压闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:隔离泵。高压闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 14英寸、法兰类型：CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：250,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。金属阀体衬里高压阀门主要有衬胶阀门、衬氟阀门、衬铅阀门、衬塑阀门、衬搪瓷阀门。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，多定位闸阀。多定位闸阀是一种利用压缩空气或氮气控制闸阀位置的阀门。它在阀门的顶部有一个内置控制器，可以在本地和远程模式下操作。它还具有紧急关闭功能，以应对泵停止或CDA压缩干空气丢失的情况。其特点之一是能够远程检查阀门状态，并可用于具有不同法兰类型的各种工艺。多定位闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，适用于需要压力控制的所有加工领域。采用手动调节控制装置控制，用户可直接控制闸门的开启和关闭，以调节压力。微泰半导体多定位闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。闸阀体内设一个与介质流向成垂直方向的平面闸板，靠这一闸板的升降来开启或关闭介质的通路。CVD闸阀气动阀

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，三重防护闸阀应用于• Evaporation（蒸发）等设备。CVD闸阀气动阀

微泰,传输阀、转换阀、输送阀、转移阀是安装在半导体PVDCVD设备工艺模块和工艺室之间的阀门系统。它充当将位于工艺模块中的晶圆转移到工艺室的沟槽。此外，它极大限度地减少了由于闸板打开和关闭造成的真空压力变化，使腔室内的真空压力得以维持。负责门控半导体晶圆转移的传输阀、转换阀、输送阀、转移阀分为两种类型:I型和L型• Product Range : 32 x 222 / 46 x 236 ，50 x 336 / 56 x 500 ，• Cycles of first service : 1,000,000 • Response Time : 2sec • Customer Specified Flanges ，转移阀产品由铝或不锈钢制成，用于传输晶圆小于450毫米的半导体系统和隔离工艺室。本型的特点是叶片在垂直方向上快速移动，确保完美的腔室压力维持。它采用具有LM导向系统和单连杆的内部机构，保证高耐用性和长寿命。二、L型转移阀。L型转移阀产品由铝或不锈钢制造，其特点是设计紧凑，易于维护。I型和L型转移阀在在闸门开启和关闭过程中极大限度地减少了振动，并且对温度变化非常稳定，确保了较长的使用寿命。此外，即使长时间使用栅极，它们产生的颗粒也很少，从而避免了晶圆缺陷或主器件的污染。微泰不断创新，在开发先进的压力控制和控制阀制造专业从事真空闸阀不懈努力。CVD闸阀气动阀

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