双击PCB模块打开其Property窗口,切换到LayoutExtraction选项卡，在FileName处浏览选择备好的PCB文件ddr3.spdo在ExtractionEngine下拉框里选择PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator两种模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信号耦合，考虑非理想电源地的S参数模型；而使用SPEED2000Generator可以提取理想电源地情况下的非耦合信号的SPICE模型。前者模型提取时间长，但模型细节完整，适合终的仿真验证；后者模型提取快，SPICE模型仿真收敛性好，比较适合设计前期的快速仿真迭代。为什么要进行DDR3一致性测试？重庆PCI-E测试DDR3测试

DDR 规范的 DC 和 AC 特性

众所周知，对于任何一种接口规范的设计，首先要搞清楚系统中传输的是什么样的信号，也就是驱动器能发出什么样的信号，接收器能接受和判别什么样的信号，用术语讲，就是信号的DC和AC特性要求。

在DDR规范文件JEDEC79R2.odf的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中对DDR的DC有明确要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我们的实际设计中，除了要精确设计供电电源模块之外，还需要对整个电源系统进行PI仿真，而这是高速系统设计中另一个需要考虑的问题，在这里我们先不讨论它，暂时认为系统能够提供稳定的供电电源。 重庆PCI-E测试DDR3测试DDR3内存的一致性测试是否会降低内存模块的寿命？

 如果模型文件放在其他目录下，则可以选择菜单Analyze-Model Browser..,在界面里面单击 Set Search Path按钮，然后在弹出的界面里添加模型文件所在的目录。

选择菜单Analyze —Model Assignment..,在弹出的模型设置界面中找到U100 (Controller)来设置模型。

在模型设置界面中选中U100后，单击Find Model...按钮，在弹出来的界面中删除 工具自认的模型名BGA1295-40,将其用“*”取代，再单击空白处或按下Tab键，在列岀的 模型文件中选中memorycontroller.ibs。

单击Load按钮，加载模型。

加载模型后，选择memorycontroller.ibs文件下的Controller器件模型，然后单击Assign 按钮，将这个器件模型赋置给U100器件。

那么在下面的仿真分析过程中，我们是不是可以就以这两个图中的时序要求作为衡量标准来进行系统设计呢?答案是否定的，因为虽然这个时序是规范中定义的标准，但是在系统实现中，我们所使用的是Micron的产品，而后面系统是否能够正常工作要取决干我们对Micron芯片的时序控制程度。所以虽然我们通过阅读DDR规范文件了解到基本设计要求，但是具体实现的参数指标要以Micron芯片的数据手册为准。换句话说，DDR的工业规范是芯片制造商Micron所依据的标准，而我们设计系统时，既然使用了Micron的产品，那么系统的性能指标分析就要以Micron的产品为准。所以，接下来的任务就是我们要在Micron的DDR芯片手册和作为控制器的FPGA数据手册中，找到类似的DDR规范的设计要求和具体的设计参数。DDR3一致性测试期间会测试哪些方面？

使用了一个 DDR 的设计实例，来讲解如何规划并设计一个 DDR 存储系统，包括从系统性能分析，资料准备和整理，仿真模型的验证和使用，布局布线约束规则的生成和复用，一直到的 PCB 布线完成，一整套设计方法和流程。其目的是帮助读者掌握 DDR 系统的设计思路和方法。随着技术的发展，DDR 技术本身也有了很大的改变，DDR 和 DDR2 基本上已经被市场淘汰，而 DDR3 是目前存储系统的主流技术。

并且，随着设计水平的提高和 DDR 技术的普及，大多数工程师都已经对如何设计一个 DDR 系统不再陌生，基本上按照通用的 DDR 设计规范或者参考案例，在系统不是很复杂的情况下，都能够一次成功设计出可以「运行」的 DDR 系统，DDR 系统的布线不再是障碍。但是，随着 DDR3 通信速率的大幅度提升，又给 DDR3 的设计者带来了另外一个难题，那就是系统时序不稳定。因此，基于这样的现状，在本书的这个章节中，着重介绍 DDR 系统体系的发展变化，以及 DDR3 系统的仿真技术，也就是说，在布线不再是 DDR3 系统设计难题的情况下，如何通过布线后仿真，验证并保证 DDR3 系统的稳定性是更加值得关注的问题。 DDR3内存的一致性测试是否需要长时间运行？重庆PCI-E测试DDR3测试

DDR3一致性测试期间是否会影响计算机性能？重庆PCI-E测试DDR3测试

DDR3信号质量问题及仿真解决案例随着DDR信号速率的升高，信号电平降低，信号质量问题也会变得突出。比如DDR1的数据信号通常用在源端加上匹配电阻来改善波形质量；DDR2/3/4会将外部电阻变成内部ODT；对于多负载的控制命令信号，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4则将采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驱动能力的选择等方面，可以通过仿真 来得到正确驱动和端接，使DDR工作时信号质量改善，从而增大DDRI作时序裕量。重庆PCI-E测试DDR3测试

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