所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：一种低压供配电变电装置，包括柜体1、***凹槽2、防震块3、缓冲块4、第二凹槽5、收纳箱6、第三凹槽7、孔洞8、滑块9、托板10、活动槽11、粘连带12、固定带13、滤网盖14、固定腿15、卡扣16、滑动槽17、散热扇18、竖杆19、转轴20和太阳能电板21，柜体1的内壁预留有***凹槽2，且***凹槽2的内部设置有防震块3，缓冲块4安装于防震块3的外壁，且缓冲块4的外壁预设有第二凹槽5，防震块3等间距分布于缓冲块4的外壁，且缓冲块4通过***凹槽2与柜体1构成滑动结构，通过安装在缓冲块4底部的防震块3，防震块3等间距分布于缓冲块4的底部，且防震块3关于柜体1的中轴线对称设置，缓冲块4通过***凹槽2与收纳箱6构成滑动结构，缓冲块4关于收纳箱6的中轴线对称设置，且收纳箱6与柜体1的中轴线重合，从而在转移柜体1时，收纳箱6通过缓冲块4底部的防震块3在***凹槽2内部滑动，从而防止收纳箱6与柜体1碰撞导致损坏的问题，第二凹槽5的外壁设置有收纳箱6。

而这正是所希望的结果。在正常工作状态，电路内部的**取样电阻对负载电流周期性地进行采样，因此避免了因过流导致灾难性后果出现。因此，内部过热保护电路为变换器提供了安全工作区（SAO）。其中MAX668是一个开关控制器，由它完成升压功能。电流反馈型升压控制器（MAX668）驱动低端逻辑电平N沟道增强型MOSFET，该开关管通过低端电流取样电阻到地。**开关是一肖特基二极管，选择它主要是它具有低的正向导通压降。由图可见，升压变换器的拓扑基本结构未被破坏。本应用中，MAX668把，负载电流可达3A。贴片保险丝其中P沟道增强型MOSFET——Q1是实现负载断路的关键元件。当MAX668在关闭模式时，二极管D1仍然导通，使得MAX810L的电源端的电压为二极管D1的管压降。由于MAX810L的复位门槛电平为，因此其RESET端输出为高电平，迫使Q1关断，从而使负载与输入电源断开。MAX668通过外部反馈电阻网络设定5V输出电压。当输出电压超MAX810L的复位门槛电平时，其内部单稳电路开始工作并延时约240ms。之后，MAX810L的输出变低，使Q1导通。Q1导通之后。MAX810L一直监测输出电压以确定输出是否过流。过载将会导致输出电压下降，当它低于MAX810L门槛电平时。

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