应用场合以及选用时应注意的问题等供广大使用者参考。2.快恢复二极管模块工艺结构和特点图1超快恢复二极管模块内部电路连接图本模块是由二个或二个以上的FRED芯片按一定的电路(见图1)连成后共同封装在一个PPS(加有40%的玻璃纤维)外壳内制成,模块分绝缘型(模块铜底板对各主要电极的绝缘耐压Uiso≥)和非绝缘型二种,其特点(1)采用高、低温氢(H2)、氮(N2)混合气体保护的隧道炉和热板炉二次焊接工艺,使焊接温度、焊接时间和传送带速度之间有较好的匹配,并精确控制升温速度、恒温时同和冷却速度,使焊层牢固,几乎没有空洞,从而降低了模块热阻、保证模块出力,根据模块电流的大小,采用直接焊接或铝丝超声键合等方法引出电极,用RTV橡胶、及组份弹性硅凝胶和环氧树脂等三重保护,又加采用玻璃钝化保护的、不同结构的进口FRED芯片,使模块防潮、防震,工作稳定。(2)铜底板预弯技术:模块采用了高导热、高绝缘、机械强度高和易焊接,且热膨胀系数很接近硅芯片的氮化铝陶瓷覆铜板(ALNDBC板),使焊接后各材料內应力低,热阻小,并避免了芯片因应力而破裂。为了解决铜底板与DBC板间的焊接问题,除采用铜银合金外。并在焊接前对铜底板进行一定弧度的预弯。如图2(a),焊后如图2(b)。常州市国润电子有限公司是一家专业提供快恢复二极管 的公司,欢迎您的来电哦!上海快恢复二极管MURB2040CT
有一种二极管叫做SONIC二极管,其反向回复时间较为长,约~µs,软度因子在。在制造中除了使用平面结终止结构,玻璃钝化并有硅橡胶保护外,还使用了从硅片背面开展深扩散磷和控制轴向寿命抑制因素,使迅速二极管的反向恢复电流衰减较慢,具反向“软恢复”特点,防范在高频应用时在硬关断过程中产生过高的反向尖峰电压,维护了开关器件及其二极管自身。该二极管在整个工作温度范围内性能安定,并且对于温度的变化正向电压降的变化可以忽视不计。该二极管是为高频应用设计的,在高频应用时安定确实。新的迅速软恢复二极管——SONIC二极管系列克服了这些缺陷,它们的优点为:1.并联二极管工作时正向电压降Vf与温度无关;2.阻断电压平稳,漏电流比掺金和铂的小;3.迅速软恢复二极管在高温下反向漏电流从25℃到125℃比掺铂FRED少50%。SONIC二极管使用磷深扩散和轴向寿命抑制因素,电压从600V至1800V,如图3所示。在硼中受控的轴向寿命抑制因素用来支配区域1中空穴的发射效率。区域2所示的软N区为软恢复提供了额外电荷。空穴的较低的发射效率使得器件的正向电压降对温度不太敏感,这有利二极管并联工作,并且在高温时开关损耗很小。运用电子辐照作为外加的规范寿命抑制因素。湖北快恢复二极管MUR3060CT快恢复二极管 ,就选常州市国润电子有限公司,有需求可以来电咨询!
快恢复整流二极管属于整流二极管中的高频整流二极管,适用于高频率的电路场合,低频如工频50HZ以下用普通的整流二极管就好。快恢复二极管做整流二极管常用在在频率较高的逆变电路中。但是由于整流电路由于频率很低,故只对耐压有要求,只要耐压能满足,肯定是可以代用的,且快恢复二极管也有用于整流的情况,就是在开关电源次级整流部份,由于频率较高,只能使用快恢复二极管整流,否则由于二极管损耗太大会造成电源整体效率降低,严重时会烧毁二极管。另外快恢复二极管的价格较整流二极管贵很多,耐压越高越贵,所以一般是不会拿快恢复二代管使用的。之所以称其为快速恢复二极管,这是因为普通整流二极管一般工作于低频(如市电频率为50Hz),其工作频率低于3kHz,当工作频率在几十至几百kHz时,正反向电压变化的时间慢于恢复时间,普通整流二极管就不能正常实现单向导通了,这时就要用快速恢复整流二极管。快速恢复二极管的特点就是它的恢复时间很短,这一特点使其适合高频整流。快恢复二极管有一个决定其性能的重要参数——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是,二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态,从输出脉冲下降到零线开始。Trr越小的快速恢复二极管的工作频率越高。
我们都知道在选择快恢复二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,快恢复二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对该快恢复二极管的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:快恢复二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降达到峰值,却不影响快恢复二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该快恢复二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。快恢复二极管常州市国润电子有限公司 服务值得放心。
二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅片不贴合,会产生漏气,导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管,可靠性很高,在150度的HTRB时,表现仍然很出色;而OJ工艺的产品能够承受100度左右的HTRB。快恢复二极管 ,就选常州市国润电子有限公司。湖北快恢复二极管MUR3060CT
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二极管的软度可以获取更进一步操纵。图3SONIC软恢复二极管的寿命控制该二极管回复波形异常的平滑从未振荡,所以电磁扰乱EMI值十分低。这种软恢复二极管不仅引致开关损失缩减,而且容许除去二极管的并联RC缓冲器。使用轴向寿命抑制因素可以取得较佳性能的二极管。电力电子学中的功率开关器件(IGBT、MOSFET、BJT、GTO)总是和迅速二极管相并联,在增加开关频率时,除传导损耗以外,功率开关的固有的功用和效率均由二极管的反向恢复属性决定(由图2的Qrr,IRM和Irr特点表示)。所以对二极管要求正向瞬态压降小,反向回复时间断,反向回复电荷少,并且具备软恢复特点。反向峰值电流IRM是另一个十分关键的属性。反向电流衰变的斜率dirr/dt由芯片的工艺技术和扩散参数决定。在电路中,这个电流斜率与寄生电感有关,例如连接引线,引起过电压尖峰和高频干扰电压。dirr/dt越高(“硬回复”属性),二极管和并联的开关上产生的附加电压越高。反向电流的缓慢衰减(“软恢复”特点)是令人令人满意的属性。所有的FRED二极管都使用了“软恢复”特点,SONIC二极管的恢复属性更“软”,它们的阻断电压范围宽,使这些迅速软恢复二极管能够作为开关电源(SMPS)的输出整流器上海快恢复二极管MURB2040CT
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