往往只考虑网络大短路电流值与设备上限断流容量相匹配，而忽略小短路电流与下眼开断容量的关系。实际运行上的某些熔断器事故，恰恰是由于熔断器的下限开断值偏高不能有效地灭弧造成的。考虑到高压熔断器作为变压器的主保护(包括变压器低压套管至低压熔断器一段连线)，且为低压熔断器(或开关)的后备保护，应以低压出口(两相)短路电流来选择其下限。为便于比较，现将配电变压器低压倒零秒三相短路容量的近似计算值列于表3。由表3可知，因小容量变压器的阻抗大，即使变压器高压侧系统具有无限大的容量，其低压倒短路容量的大值只有。熔断器的下限开断容量，一般为其额定容量的20%左右，这就说明，现有10千伏产品的下限开断值都大于安装地点的短路电流小值。35千伏熔断器也存在这个问题，如安装在短路容量为200MVA的跌落熔断器作为35/10kV1000kVA变压器的保护时。设变压器的阻抗电压为，则10千伏例短路容量为，而熔断器选用上眼开断容量为200MVA(或250MVA)，下限为40(或50)或20MVA时，产品下限值同样大于安装处的小短路电流值。在这种情况下，当网络发生低压短路故障时，短路电流通过高压熔丝，使其发热熔断，但在开断过程中，因故障电流低于熔断器的下限开断值。

    所选择的熔断器的额定电流不得小于电容器额定电流的。END半导体器件保护熔断器选用额定电压：快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时，应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性，此时快速熔断器熔断时，熔片两端交流电压与直流电压叠加现象，快速熔断器的额定电压应按下式计算：UN≥Uac+Udo×1/√2式中：Uac：快速熔断器熔断后外加交流电压;Udo：半导体设备负载端逆变型直流电压。额定电流：熔断器的额定电流INF是以电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础，并考虑环境温度、冷却条件、电流裕度等因素影响进行计算。INF≥K×IF式中：K值一般可取。对于自冷式熔断器K取较大值，尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路，需取最大值;对水冷式熔断器K取较小值。快速熔断器选用额定电流过大势必增加熔断器的I2tF值，对半导体器件的保护是有害的。分断I2t：当半导体器件与快速熔断器串联工作时，半导体器件允许通过的I2tD值应大于快速熔断器的I2tF值，不然熔断器熔断时，器件也被烧损。二者关系应满足：I2tF≤。分断过电压：熔断器在减弧过程中。

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