二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。

    还有节能、驱动和控制简易、无需维护等特点。发光二极管替代霓虹灯将是照明设备发展的必然结果。二极管压降是什么意思二极管的管压降就其本质而言还是一个电阻，只是导通的时候电阻很小，不导通的时候接近无穷大，而导通时候的电阻会分担一定的电压，所以叫管压降。二极管的压降是，低于这个电压二极管是不会导通的，高于这个电压，则会导通。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向低电压，小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约～V；锗二极管约～V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。二极管压降多少一般来说由于硅管的伏安特性曲线在，也就是说继续增加正向电压会产生很大的电流，换句话说在，随着电流的增加，电压的增加幅度很小，仍然可以认为压降还是。因为有，不可以等同于导线，二极管两端电压就是压降，当二极管导通时这个电压约为，当然不是0。当电流不变化时，可以等同于电阻，其阻值就是，但是把它视作一个。从特性曲线来看，正向电压大于，若继续增加电压，电流会急剧增加，实际应用中因为限流电阻的存在这个电流不可能很大。若一个二极管D一个电阻R和一个电源U串联的话，电流的计算方法是（）/R。

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