如图所示：本发明为一种高功率模块的制备方法，可在集成电路(ic)芯片(热源)与散热基板间利用网版印刷、探针式点胶转移技术或刮刀涂布等方式将银基奈米浆料涂布在该散热基板上；其中该散热基板的材质为银、铜、金、或镍的合金，或是材质为陶瓷、或氧化硅的基板上具有银、金、镍、钛的合金或氮化物镀层。根据上述探针式点胶转移技术，本发明所提方法主要采用非接触式探针点胶技术，使浆料由探针带出后，不碰触基板，而是让浆料接触基板后完成浆料涂布。如图3所示，图(a)显示本方法可避免因探针接触基板而破坏基板及基板表面涂层，并避免探针长时间使用而损坏，且可达到较小的涂布面积，相较图(b)所示接触式探针点胶技术，本发明可小30％的涂布面积。因此，本发明为适应次世代高功率模块的高工作温度，提出新型态的热接口材料作为新世代高功率模块的关键材料之一，所提高功率模块的制备方法如图1所示，至少包含下列步骤：步骤s101：提供一非接触式探针点胶设备1，以非接触式探针配合电压量测自动回馈方式，将一银基奈米浆料(图中未示)涂布在一散热基板2上，而该银基奈米浆料以重量份计，包含有65～70份银基金属粒子。

    本发明实施例还提供了一种半导体功率模块，如图15所示，半导体功率模块50配置有上述igbt芯片51，还包括驱动集成块52和检测电阻40。具体地，如图16所示，igbt芯片51设置在dcb板60上，驱动集成块52的out端口通过模块引线端子521与igbt芯片51中公共栅极单元100连接，以便于驱动工作区域10和电流检测区域20工作；si端口通过模块引线端子521与检测电阻40连接，用于获取检测电阻40上的电压；以及，gnd端口通过模块引线端子521与电流检测区域的一发射极单元101引出的导线522连接，检测电阻40的另一端还分别与电流检测区域的第二发射极单元201和接地区域连接，从而通过si端口获取检测电阻40上的测量电压，并根据该测量电压检测工作区域的工作电流。本发明实施例提供的半导体功率模块，设置有igbt芯片，其中，igbt芯片上设置有：工作区域、电流检测区域和接地区域；其中，igbt芯片还包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相对设置；一表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元，以及，工作区域的一发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元，其中，第三发射极单元与一发射极单元连接。

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