硬化条件：初期硬化110°C—140°C25—40分钟后期硬化100°C*6—10小时（可以视实际需要做机动性调整）发光二极管工艺芯片检验镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整。LED扩片由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约），不利于后工序的操作。采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。LED点胶在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，提醒：银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。LED备胶和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。LED手工刺片将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下。

    增加“二极管”Q2的一个好处是可以使Q2的正向电压和Q1的电压非常接近，因为流经这两者的电流几乎完全一样。要想获得与Q2匹配的佳电压，应使用与Q1同样的电阻器。另一个好处是两个电阻器具有相同的温度系数，使两者可以更准确地追踪彼此的正向电压。与Vbe变化相关的温度误差少，因为它们彼此相互抵消（VFB~Vout—VbeQ1+VbeQ2）。将Q1和Q2放在相邻的位置非常重要，因为这样两者就处于相同的温度下，如有可能，请使用双晶体管封装。图3：电平移位器用Q2抵消Q1相关的变化。图4的第3个示例显示带有一组电荷泵级的升压转化器，每级“n”向总输出增加近似“V1”，得到结果“Vn+1”。图4：电荷泵二极管压降可以相互抵消。总输出电压的近似值为：在公式（1）中，可以看出Vn+1很大程度上由n的倍数决定，但受到二级管正向压降相关的“误差项”和电荷泵转换电容纹波电压的影响，会有所减少。假设所有二极管都是相同类型的，那么它们的正向电压等于：VD1=VDa=VDb，得出公式（2）：公式（2）中，右边的“误差项”使输出电压低于理想的n+1倍。要改进这点，VDa和VDb使用肖特基二极管，而VD1使用传统二极管，正向电压降等于：VDa=VDb=VD1/2，得出公式（3）：从公式（3）可以看出。

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