消除了导通电阻中jfet的影响。同时缩小了原胞尺寸即步进(pitch)，提高原胞密度，每个芯片的沟道总宽度增加，减小了沟道电阻。另一方面，由于多晶硅栅面积增大，减少了分布电阻，有利于提高开关速度。igbt的饱和压降(vcesat)和关断损耗以及抗冲击能力是衡量igbt器件的几个重要指标。饱和压降是衡量igbt产品导通损耗的重要参数，降低igbt饱和压降可以有效降低igbt功率损耗，减小产品发热，提高功率转换效率。耐压特性也是是产品的重要参数之一。降低关断损耗可以限度的降低igbt在高频下的功率损耗。igbt产品抗冲击能力的主要体现就是产品抗短路能力，是体现产品可靠性的重要参数指标。随着技术的发展，对igbt的性能要求越来越高，如何更加灵活地调整饱和压降(vcesat)与关断损耗(eoff)的折中关系，在保证饱和压降不增大的前提下更好的优化开关损耗，同时提高器件的抗冲击能力以实用于高功率转换领域，成为本领域技术人员一直求的目标。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种igbt器件，能同时改善器件的饱和压降、关断损耗以及抗冲击的性能。为此，本发明还提供一种igbt器件的制造方法。为解决上述技术问题，本发明提供的igbt器件包括：漂移区。

    所述阱区位于所述漂移区表面。所述电荷存储层位于所述漂移区的顶部区域且位于所述漂移区和所述阱区交界面的底部，所述电荷存储层具有一导电类重掺杂；所述电荷存储层用于阻挡第二导电类载流子从所述漂移区中进入到所述阱区中。各所述沟槽穿过所述阱区和所述电荷存储层且各所述沟槽的进入到所述漂移区中；被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述阱区的表面用于形成沟道。步骤八、采用光刻定义加一导电类型重掺杂离子注入工艺在所述多晶硅栅两侧的所述阱区的表面形成发射区。步骤九、形成层间膜、接触孔、正面金属层，所述接触孔穿过所述层间膜；对所述正面金属层进行图形化形成金属栅极和金属源极。所述多晶硅栅通过顶部对应的接触孔连接到所述金属栅极。所述发射区通过顶部的对应的接触孔连接到所述金属源极；令所述发射区顶部对应的接触孔为源极接触孔，所述源极接触孔还和穿过所述发射区和所述阱区接触。所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅也分布通过对应的接触孔连接到所述金属源极。步骤十、对所述半导体衬底进行背面减薄，进行第二导电类型重掺杂注入并进行退火在所述漂移区的底部表面形成有由第二导电类重掺杂区组成的集电区。

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