在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。AVTOOnstatethresholdvoltage门槛电压-VIT(RMS)On-StateRMSCurrent(fullsinewave)通态电流均方值AITSMNon-RepetitivePeakon-stateCurrent通态浪涌电流(通态不重复峰值电流)浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性大正向过载电流。浪涌电流有上下两个级，这个参数可用来作为设计保护电路的依据。AIGMForwardPeakGateCurrent门极峰值电流-AI2TCircuitFusingConsideration周期电流平方时间积-A2sesdIT/dtRepetitiverateofriseofon-statecurrentaftertriggering(IGT1~IGT3)通态临界电流上升率当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。

    四种条件下双向可控硅均可被触发导通，但是触发灵敏度互不相同，即保证双向可控硅能进入导通状态的小门极电流IGT是有区别的，其中(a)触发灵敏度高，(b)触发灵敏度低，为了保证触发同时又要尽量限制门极电流，应选择(c)或(d)的触发方式。2：可控硅过载的保护可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作，需有条件(1)外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用；(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按大电流的～2倍来取；(3)为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。3：控制大电感负载时的干扰电网和自干扰的避免可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象。

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