第1表面和第二表面相对设置；第1表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元，以及，工作区域的第1发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元，其中，第三发射极单元与第1发射极单元连接，公共栅极单元与第1发射极单元和第二发射极单元之间通过刻蚀方式进行隔开；第二表面上设有工作区域和电流检测区域的公共集电极单元；接地区域设置于第1发射极单元内的任意位置处；电流检测区域和接地区域分别用于与检测电阻连接，以使检测电阻上产生电压，并根据电压检测工作区域的工作电流。本申请避免了栅电极因对地电位变化造成的偏差，提高了检测电流的精度。本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式。

    对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明实施例提供的一种igbt器件的结构图；图2为本发明实施例提供的一种电流敏感器件的结构图；图3为本发明实施例提供的一种kelvin连接示意图；图4为本发明实施例提供的一种检测电流与工作电流的曲线图；图5为本发明实施例提供的一种igbt芯片的结构示意图；图6为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的结构示意图；图7为本发明实施例提供的一种igbt芯片的表面结构示意图；图8为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图9为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图10为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图11为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图12为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图13为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图14为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图；图15为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的结构示意图；图16为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的连接示意图。图标：1-电流传感器；10-工作区域；101-第1发射极单元。

江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。

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