引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，泄漏了能量，抑制了过电压，从而使晶闸管得到保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。标称电压：当参考压敏电阻直流1mA电流流动，它两端的电压值。通流数据容量：是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形进行冲击以及电流，每隔5分钟冲击1次，共冲击10次，标称工作电压发生变化在-10［%］以内的大经济冲击产生电流值来表示。因为企业正常的压敏电阻粒界层只有通过一定程度大小的放电容量和放电次数，标称电压值不会随着研究放电次数不断增多而下降，而且也随着不同放电产生电流幅值的增大而下降，当大到某一部分电流时，标称电压下降到0，压敏电阻可以出现穿孔，甚至炸裂；因此我们必须进行限定通流数据容量。漏电流：将标称直流电压的一半加到压敏电阻上测量的电流。由于压敏电阻的通流容量大，残压低，抑制过电压能力强；平时漏电流小，放电后不会有续流，元件的标称电压等级多，便于用户选择；伏安特性是对称的，可用于交、直流或正负浪涌；因此用途较广。过电流保护由于半导体器件体积小、热容量小，特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件，结温必须受到严格的控制。

在恢复电流快速衰减时，由于外电路电感的作用，会在晶闸管两端引起反向的尖峰电压U。从正向电流降为零，到反向恢复电流衰减至接近于零的时间，就是晶闸管的反向阻断恢复时间t。[1]反向恢复过程结束后，由于载流子复合过程比较慢，晶闸管要恢复其对反向电压的阻断能力还需要一段时间，这叫做反向阻断恢复时间tgr。在反向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不受门极电流控制而导通。所以在实际应用中，需对晶闸管施加足够长时间的反压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作。晶闸管的电路换向关断时间t定义为t与t之和，即t=t+t除了开通时间t、关断时间t及触发电流IGT外，本文比较关注的晶闸管的其它主要参数包括：断态（反向）重复峰值电压U（U）：是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向（反向）峰值电压。通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。通态平均电流I：国际规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40℃和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的**大工频正弦半波电流的平均值。这也是标称其额定电流的参数。

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