通过在ipm模块发射极端子与栅极端子之间设置相互连接的低阻值电阻r、放大滤波电路、保护电路和驱动电路，形成ipm模块的短路检测电路，放大滤波电路能放大流过电阻r的电流信号，采集电流所需时间极短且滤除干扰电流毛刺，电流放大后更易于进行阈值电流值的设置，有效的提高了短路电流检测的精确度，缩短了短路检测时间；放大后的电流信号传递给保护电路，使保护电路能够短时间内检测出ipm模块是否发生短路，对ipm模块进行保护，避免了ipm模块中芯片因承受过大的短路电流而烧毁，从而提高了ipm模块的可靠性和使用寿命。附图说明图1是本实用新型ipm模块短路检测电路的原理图；图2是本实用新型ipm模块短路检测电路中保护电路的原理示意图；图3是本实用新型ipm模块短路检测电路的效果对比图。图中，，3.放大滤波电路，4.保护电路，5.驱动电路，7.电阻r。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。本实用新型一种ipm模块短路检测电路，参照图1，包括连接在ipm模块1发射极端子与栅极端子之间的电阻r7、放大滤波电路3、保护电路4和驱动电路5，放大滤波电路3采集放大电阻r7的电流，保护电路4将放大的电流转换为电压u，并与阈值电压uref进行比较。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类。北京定制Mitsubishi三菱IPM模块值得推荐

    1引言在大功率电力电子器件应用中，IGBT已取代GTR或MOsF龃成为主流。心盯的优点在予输入阻抗高、开关损耗小、饱和压降低、通断速度快、热稳定性能好、耐高压且承受大电流、驱动电路简单。目前，由妇BT单元构成的功率模块在智能化方面得到了迅速发展，智能功率模块(IPM)包括基本组合单元和驱动电路，还具有保护和报警功能。IPM以其完善的功能和高可靠性创造了很好的应用条件，利用IPM的控制功能，与微处理器相结合，可方便地构成智能功率控制系统。IGBT一IPM模块适用变频器、直流调速系统、DC—DC变换器以及有源电力滤波器等，其中富士R系列IGBT一IPM是应用较广的产品之一。2IGBll_IPM的结构IPMⅡ模块有6单元或7单元结构，用陶瓷基板作绝缘构造，基板可直接安装在散热器上，控制输入端为m标准单排封装，可用一个通用连接器直接与印刷电路板相连。主电源输入(P，N)、制动输出(B)及输出端(u，v，w)分别就近配置，主配线方便;主端子用M5螺钉，可实现电流传输。IPM的结构框图如图l所示，其基本结构为IGBT单元组成的三相桥臂;内含续流二极管、制动用IG明和制动用续流二极管;内置驱动电路、保护电路和报警输出电路。IPM共有6个主回路端(P，N，B，u，v，w)、16个控制端。北京定制Mitsubishi三菱IPM模块值得推荐IGBT栅极耐压一般在±20V左右，因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护，栅极并联稳压二极管或者电阻。

    本实用新型涉及igbt功率模块技术领域，具体为一种igbt功率模块的安装机构。背景技术：igbt，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点，gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。igbt功率模块使用前需要将其进行安装，安装igbt功率模块需要用到安装机构，但是，现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块，浪费了使用者大量的时间，降低了igbt功率模块安装的效率。技术实现要素：本实用新型的目的在于提供一种igbt功率模块的安装机构，具备方便安装的优点，解决了现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块的问题。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种igbt功率模块的安装机构，包括底座，所述底座内部的两侧均开设有容纳槽。

    术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“一”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。应说明的是：以上所述实施例，为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，使用方便，不仅减小了系统的体积以及开发时间。

    igbt芯片的边缘还设置有终端保护区域，其中，终端保护区域包括在n型耐压漂移层上设置的多个p+场限环或p型扩散区；从而通过多个p+场限环或p型扩散区对igbt芯片进行耐压保护，在实际应用中，由于p+场限环或p型扩散区的数量与igbt芯片的电压等级有关，因此，关于p+场限环或p型扩散区的数量，本发明实施例对此不作限制说明。具体地，图7示出了一种igbt芯片的表面结构图，如图7所示，一发射极单元金属2为一发射极单元101在一表面中的设置位置，空穴收集区电极金属3为电流检测区域20的电极空穴收集区在一表面中的设置位置。当改变电流检测区域20的形状时，如指状或者梳妆时，igbt芯片的表面结构如图8所示，本发明实施例对此不作限制说明。在图7的基础上，图9为图7中的空穴收集区电极金属3按照a-a’方向的横截图，如图9所示，电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触，在每个沟槽内填充有多晶硅5，此外，在两个沟槽中间，还设置有p阱区7和n+源区6，以及，在沟槽与多晶硅5中间设置有氧化物4，以防多晶硅5发生氧化。此外，在一表面和第二表面之间，还设置有n型耐压漂移层9和导电层，这里导电层包括p+区11，以及在p+区11下面设置有公共集电极金属12。其中，VG为内部门极驱动电压，ISC为短路电流值，IOC为过流电流值，IC为集电极电流，IFO为故障输出电流。北京定制Mitsubishi三菱IPM模块值得推荐

而且其内部还集成有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。北京定制Mitsubishi三菱IPM模块值得推荐

    该ic芯片与该散热基板的热接口材料层90％以上成分为银，孔隙率小于25％，且厚度为1～15μm。藉此，本发明具有下列功效：1.本发明使用的热接口材料将不会产生任何介金属化合物，故不会因制程(环境)温度而脆化，且在高温下(＜800℃)相当稳定。2.本发明使用的热接口材料在完成热处理后含少量有机物(＜1％)，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物(volatileorganiccompounds,voc)产生。3.本发明所使用的热接口材料为纯银，以高纯度银做异质界面接合用材料，其导热系数为锡银铜合金(无铅焊锡)的两倍以上，如表1所示。表1本发明与现有锡银铜合金焊料的比较锡银铜焊料本发明导电率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本发明不含铅、镉、卤素等毒性物质。5.目前高功率模块的工作温度已上升至150℃，次世代高功率模块的工作温度将上升至200℃，则本发明所使用的热接口材料为纯银，将可取代无铅焊锡的锡银铜合金与传统焊锡的铅锡与银铅锡合金。6.本发明奈米银粒子与微米银粒子的比例为9:1～1:1，且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子，故所使用的热处理温度低于250℃，可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏。7.本发明采用全新非接触式探针点胶技术。北京定制Mitsubishi三菱IPM模块值得推荐

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