所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs，高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv，接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上，接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd，漏极端口d经由所述漏极基岛15连接所述漏极管脚drain，采样端口cs经由所述采样基岛18连接所述采样管脚cs，高压端口hv连接所述高压供电管脚hv。本实施例的合封整流桥的封装结构采用四基岛架构，将整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压续流二极管及瞬态二极管集成在一个引线框架内，由此降低封装成本。如图6所示，本实施例还提供一种电源模组，所述电源模组包括：本实施例的合封整流桥的封装结构1，第四电容c4，变压器，二极管d，第五电容c5，负载及第三采样电阻rcs3。如图6所示，所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线，零线管脚n连接零线，信号地管脚gnd接地。如图6所示，所述第四电容c4的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端接地。如图6所示，所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的漏极管脚drain。

    并且两个为对称设置，在所述一限位凸部101上设有凹陷部11，所述一插片21嵌入到所述凹陷部11当中。具体的，所述第二插片22为金属铜片，在所述一限位凸部101上设有插接槽100，所述第二插片22的一端插入到所述插接槽100当中；并且在所述插接槽100的内壁上设有开口104，所述第二插片22上设有卡扣凸部220，所述卡扣220可卡入到所述开口104当中；在所述第二插片22的侧壁上设有电连凸部221，所述电连凸部221与所述第二插片22一体成型；所述整流桥堆3一侧设凸出部31，所述凸出部31为两个，一个凸出部31对应一个电连凸部221；所述凸出部31与所述电连凸部221通过焊锡连接在一起；在所述整流桥堆3的另一侧设有两个凸部32，其凸部32和凸出部31完全相同；所述凸部332所述一插片21的端部焊锡在一起；在其他实施例中，焊锡连接的方式也可采用电阻焊的连接方式，其为现有技术。同时在所述一限位凸部101上具有凹槽部103，所述整流桥堆3放置在所述凹槽部103当中，从而实现对所述整流桥堆3进行定位。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例。

江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。

免责声明： 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息，均来源于其对应的用户，本网对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题，请及时与本网联系，我们将核实后进行删除，本网站对此声明具有最终解释权。