igbt芯片的边缘还设置有终端保护区域，其中，终端保护区域包括在n型耐压漂移层上设置的多个p+场限环或p型扩散区；从而通过多个p+场限环或p型扩散区对igbt芯片进行耐压保护，在实际应用中，由于p+场限环或p型扩散区的数量与igbt芯片的电压等级有关，因此，关于p+场限环或p型扩散区的数量，本发明实施例对此不作限制说明。具体地，图7示出了一种igbt芯片的表面结构图，如图7所示，一发射极单元金属2为一发射极单元101在一表面中的设置位置，空穴收集区电极金属3为电流检测区域20的电极空穴收集区在一表面中的设置位置。当改变电流检测区域20的形状时，如指状或者梳妆时，igbt芯片的表面结构如图8所示，本发明实施例对此不作限制说明。在图7的基础上，图9为图7中的空穴收集区电极金属3按照a-a’方向的横截图，如图9所示，电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触，在每个沟槽内填充有多晶硅5，此外，在两个沟槽中间，还设置有p阱区7和n+源区6，以及，在沟槽与多晶硅5中间设置有氧化物4，以防多晶硅5发生氧化。此外，在一表面和第二表面之间，还设置有n型耐压漂移层9和导电层，这里导电层包括p+区11，以及在p+区11下面设置有公共集电极金属12。则立刻发生短路保护，门极驱动电路，输出故障信号。上海贸易Mitsubishi三菱IPM模块

    滑环12的底部固定连接有与传动杆10配合使用的移动框13，移动框13位于圆盘9的前侧，传动杆10的前端延伸至移动框13的内部，传动杆10的表面与移动框13的内壁接触，移动框13的底部固定连接有导向杆19，容纳槽2内壁的底部开设有导向槽20，导向杆19与导向槽20滑动连接，通过设置导向杆19和导向槽20，能够增加移动框13移动的稳定性，防止移动框13移动时倾斜，滑环12的顶部固定连接有移动板14，移动板14的顶部贯穿至底座1的外部，移动板14内侧的顶部固定连接有卡杆15，底座1的顶部设置有igbt功率模块本体16，igbt功率模块本体16底部的两侧均固定连接有橡胶垫21，橡胶垫21的底部与底座1的顶部接触，通过设置橡胶垫21，能够增加igbt功率模块本体16与底座1的摩擦力，防止igbt功率模块本体16在底座1的顶部非正常移动，igbt功率模块本体16两侧的底部均开设有卡槽17，卡杆15远离移动板14的一端延伸至卡槽17的内部，通过设置底座1、容纳槽2、一轴承3、蜗杆4、转盘5、第二轴承6、转轴7、蜗轮8、圆盘9、传动杆10、滑杆11、滑环12、移动框13、移动板14、卡杆15、igbt功率模块本体16和卡槽17的配合使用，解决了现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块的问题。上海贸易Mitsubishi三菱IPM模块以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。

    这主要是因为使用vce退饱和检测时，检测盲区(1-8微秒)相对较长，发射极电压检测阈值设置的相对较高，使检测效果并不理想。技术实现要素：本实用新型的目的是提供一种ipm模块短路检测电路，解决了现有ipm模块退饱和短路检测因检测盲区时间长，使ipm模块发生损坏的问题。本实用新型所采用的技术方案是，一种ipm模块短路检测电路，包括连接在ipm模块发射极端子与栅极端子之间的低阻值电阻r、放大滤波电路、保护电路和驱动电路，放大滤波电路采集放大电阻r的电流，保护电路将放大的电流信号转换为电压信号u，并与阈值电压uref进行比较，若u本实用新型的技术特征还在于，电阻r的阻值为～。保护电路包括依次相连接的电阻r1、高压二极管d2、电阻r2、限幅电路和比较器，限幅电路包括二极管vd1和二极管vd2，所述限幅电路中二极管vd1输入端分别接+15v电源和电阻r2，二极管vd1输出端与二极管vd2输入端相连接，二极管vd2输出端接地，高压二极管d2输出端与二极管vd2输入端相连接，二极管vd1输出端与比较器输入端相连接，所述放大滤波电路与电阻r1相连接。驱动电路包括功率放大模块。放大滤波电路的放大倍数为20倍。本实用新型的有益效果是。

    因而对续流二极管的异常电流无法保护。除IPM的内置保护功能外，为了使器件可靠工作、防止损坏，还应在主电路的交、直流侧增加阻容保护和快速熔断器保护。(5)由于IGBT的关断时间t。g的大值为，故在输入控制信号时，应设置4us的开关死区，防止在通断切换过程中同一桥臂的IPM同时导通。(6)IPM的内置保护功能针对非重复性异常现象的保护，使用时不能长时间超过额定值。当有报警信号输出时，应马上停止输入信号，.关闭机器。由于IPM的保护动作能自动复位，应在排除故障后再启动。(7)上桥臂侧有保护动作而无报警输出，下桥臂侧出现异常时才有报警输出。实际上大多数异常情况，如过载、短路等终都将通过下桥臂侧的故障反映出来。(8)在内置制动单元的Ⅱw中，当不使用制动时，应将册输入端子接20K盼上拉电阻连于vcc，否则，dv/dt可能引起误动作。而对于6封装(无制动单元)类型，应将B端子接到N或P电位上，避免在悬空状态下使用。(9)电源上电时应先接通控制电源vcc，然后再加主电源。如果先上主电源，则可能在保护功能还未起作用时，IPM已损坏。(10)由于IPM大多工作在邢Ⅲ信号控制的高频开关状态，且电流较大，温度上升较快，即使有过热保护功能，但急剧的温度上升对IGBT的安全不利。采用功率开关器件IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。

    本实用新型涉及igbt功率模块技术领域，具体为一种igbt功率模块的安装机构。背景技术：igbt，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点，gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。igbt功率模块使用前需要将其进行安装，安装igbt功率模块需要用到安装机构，但是，现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块，浪费了使用者大量的时间，降低了igbt功率模块安装的效率。技术实现要素：本实用新型的目的在于提供一种igbt功率模块的安装机构，具备方便安装的优点，解决了现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块的问题。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种igbt功率模块的安装机构，包括底座，所述底座内部的两侧均开设有容纳槽。H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。上海贸易Mitsubishi三菱IPM模块

因而IGBT具有两者的优点。上海贸易Mitsubishi三菱IPM模块

    前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin，从而影响开关速度，后者的缺陷是将减小输入阻抗，增大驱动电流，使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小，但由于MOSFET存在输入电容Cin，开关过程中需要对电容充放电，因此驱动电路的输出电流应足够大，这一点设计者往往忽略。假定开通驱动时，在上升时间tr内线性地对MOSFET输入电容Cin充电，则驱动电流为Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R为输入回路电阻。③为可靠关闭IGBT，防止擎住现象，要给栅极加一负偏压，因此采用双电源供电。IGBT集成式驱动电路IGBT的分立式驱动电路中分立元件多，结构复杂，保护功能比较完善的分立电路就更加复杂，可靠性和性能都比较差，因此实际应用中大多数采用集成式驱动电路。日本富士公司的EXB系列集成电路、法国汤姆森公司的UA4002集成电路等应用都很广。IPM驱动电路设计IPM对驱动电路输出电压的要求很严格，具体为:①驱动电压范围为15V±10%?熏电压低于13．5V将发生欠压保护，电压高于16．5V将可能损坏内部部件。②驱动电压相互隔离，以避免地线噪声干扰。③驱动电源绝缘电压至少是IPM极间反向耐压值的两倍(2Vces)。④驱动电流可以参阅器件给出的20kHz驱动电流要求。上海贸易Mitsubishi三菱IPM模块

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