所述阱区形成于所述漂移区表面的所述硅外延层中。进一步的改进是，令各所述第二屏蔽多晶硅顶部对应的接触孔为屏蔽接触孔。在各所述单元结构中，所述源极接触孔和邻近的一个所述屏蔽接触孔合并成一个接触孔，邻近的所述屏蔽接触孔外侧的所述屏蔽接触孔呈结构。或者，在各所述单元结构中，所述源极接触孔和各所述屏蔽接触孔连接成一个整体结构。进一步的改进是，所述一屏蔽介质层和所述第二屏蔽介质层的工艺条件相同且同时形成，所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅的工艺条件相同且同时形成。进一步的改进是，一个所述单元结构中包括5个所述沟槽，在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构。进一步的改进是，所述沟槽的步进为1微米～3微米。进一步的改进是，在所述漂移区和所述集电区之间形成有由一导电类型重掺杂区组成的电场中止层。进一步的改进是，所述igbt器件为n型器件，一导电类型为n型，第二导电类型为p型；或者，所述igbt器件为p型器件，一导电类型为p型，第二导电类型为n型。为解决上述技术问题，本发明提供的igbt器件的制造方法包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成由一导电类型轻掺杂区组成的漂移区。

    一个所述igbt器件的单元结构中包括一个所述栅极结构以及形成于所述栅极结构两侧的所述第二屏蔽电极结构，在所述栅极结构的每一侧包括至少一个所述第二屏蔽电极结构。步骤七、如图3e所示，在所述漂移区1表面依次形成电荷存储层14和第二导电类型掺杂的阱区2。所述阱区2位于所述漂移区1表面。所述电荷存储层14位于所述漂移区1的顶部区域且位于所述漂移区1和所述阱区2交界面的底部，所述电荷存储层14具有一导电类重掺杂；所述电荷存储层14用于阻挡第二导电类载流子从所述漂移区1中进入到所述阱区2中。各所述沟槽101穿过所述阱区2和所述电荷存储层14且各所述沟槽101的进入到所述漂移区1中；被所述多晶硅栅6侧面覆盖的所述阱区2的表面用于形成沟道。所述电荷存储层14的掺杂浓度至少大于所述漂移区1的掺杂浓度的一个数量级。步骤八、如图3f所示，采用光刻定义加一导电类型重掺杂离子注入工艺在所述多晶硅栅6两侧的所述阱区2的表面形成发射区7。步骤九、如图3g所示，形成层间膜10。如图1所示，接触孔、正面金属层12，所述接触孔穿过所述层间膜10；对所述正面金属层12进行图形化形成金属栅极和金属源极。所述多晶硅栅6通过顶部对应的接触孔连接到所述金属栅极。

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