在氮化铝陶瓷中的应用,氮化铝为六方纤锌矿结构,具有良好的抗热震性、绝缘体、热膨胀系数低和力学性能,理论热导率达320W·m-1·K-1,即使在特殊气氛中也有优异的耐高温性能,是理想的大规模集成电路基板和封装材料。
氮化铝陶瓷有以下出色的导热性能:(1)热导率高,满足器件散热需求;(2)耐热性好,满足功率器件高温(大于200°C)应用需求;(3)热膨胀系数匹配,与芯片材料热膨胀系数匹配,降低封装热应力;(4)介电常数小,高频特性好,降低器件信号传输时间,提高信号传输速率;(5)机械强度高,满足器件封装与应用过程中力学性能要求;(6)耐腐蚀性好,能够耐受强酸、强碱、沸水、有机溶液等侵蚀;(7)结构致密,满足电子器件气密封装需求。
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氮化铝陶瓷是一种高技术新型陶瓷。氮化铝陶瓷基片具有极高的热导率,无毒、耐腐蚀、耐高温,热化学稳定性好等特点,是大规模集成电路,半导体模块电路和大功率器件的理想封装材料、散热材料、电路元件及互连线承载体。也是提高高分子材料热导率和力学性能的比较好添加料,氮化铝陶瓷还可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、热电偶的保护管、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温、耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品,用作高导热陶瓷生产原料及树脂填料等。氮化铝是电绝缘体,介电性能良好。砷化镓表面的氮化铝涂层,能保护它在退火时免受离子的注入。深圳定制异形氮化铝陶瓷柱塞来图来样加工氮化铝圆环底座。
氮化铝陶瓷具有优良的热、电、力学性能,所以它的应用范围比较广。可以制成氮化铝陶瓷基片,热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电耗损小,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。氮化铝陶瓷硬度高,超过氧化铝陶瓷,也可用于磨损严重的部位。利用氮化铝陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性,可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件,利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀,对酸稳定,但在碱性溶液中易被侵蚀。氮化铝新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性,可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。氮化铝陶瓷的金属化性能较好,可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中广泛应用。
氮化铝陶瓷基板是目前市面上需求较大的陶瓷基板之一.氮化铝陶瓷基板导热可以去掉190W甚至更高。
半导体方面集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域都需要较好的散热功能,普通FR4玻纤板导热很低,容易导致线路板短路等问题。氮化铝陶瓷基板较好导热性能和电器性能能解决应用产品出现散热不足的问题。
随着通讯领域迭代升级步伐不断加速,4G进入后周期,5G将助氮化铝陶瓷基板行业进一步发展繁荣陶瓷基板市场。5G通讯射频领域前端主要包括天线振子、高频5G氮化铝陶瓷基板、滤波器和PA(功率放大器)等重要部件 氮化铝陶瓷结构件定制加工找鑫鼎陶瓷。
氮化铝陶瓷作为耐热材料可用其作坩埚、保护管、浇注模具等。氮化铝可在2000℃非氧化气氛下,仍具有稳定的性能,是一种优良的高温耐火材料,抗熔融金属侵蚀的能力强。
热交换器件氮化铝陶瓷热导率高、热膨胀系数低,导热效率和抗热冲击性能优良,可用作理想的耐热冲和热交换材料,例如氮化铝陶瓷可以作为船用燃气轮机的热交换器材料和内燃机的耐热部件。由于氮化铝材料的优良导热性能,有效提高了热交换器的传热能力。
氮化铝陶瓷具有优良的电绝缘性,高导热,介电性能良好,与高分子材料相容性好, 是电子产品高分子材料的添加剂,可用于 TIM 填料、FCCL 导热介电层填料,应用于电子器件的热传递介质,进而提高工作效率,如 CPU 与散热器填隙、大功率 三极管和可控硅元件与基材接触的细缝处的热传递介质。 绝缘耐腐氮化铝陶瓷件厂家---鑫鼎陶瓷。深圳米黄色氮化铝陶瓷管
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氮化铝的理论密度为3100±10kg/m3,实际测得α- Si3N4的真比重为3184 kg/m3,β- Si3N4的真比重为3187 kg/m3。氮化铝陶瓷的体积密度因工艺而变化较大,一般为理论密度的80%以上,大约在2200~3200 kg/m3之间,气孔率的高低是密度不同的主要原因,反应烧结氮化铝的气孔率一般在20%左右,密度是2200~2600 kg/m3,而热压氮化铝气孔率在5%以下,密度达3000~3200 kg/m3,与用途相近的其他材料比较,不仅密度低于所有高温合金,而且在高温结构陶瓷中也是密度较低的一种。深圳定制异形氮化铝陶瓷柱塞
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