快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同，但熔体材料和形状不同，它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。自复熔断器：采用金属钠作熔体，在常温下具有高电导率。当电路发生短路故障时，短路电流产生高温使钠迅速汽化，汽态钠呈现高阻态，从而限制了短路电流。当短路电流消失后，温度下降，金属钠恢复原来的良好导电性能。自复熔断器只能限制短路电流，不能真正分断电路。其优点是不必更换熔体，能重复使用。结构特性/熔断器编辑熔体额定电流不等于熔断器额定电流，熔体额定电流按被保护设备的负荷电流选择，熔断器额定电流应大于熔体额定电流，与主电器配合确定。熔断器主要由熔体、外壳和支座3部分组成，其中熔体是控制熔断特性的关键元件。熔体的材料、尺寸和形状决定了熔断特性。熔体材料分为低熔点和高熔点两类。低熔点材料如铅和铅合金，其熔点低容易熔断，由于其电阻率较大，故制成熔体的截面尺寸较大，熔断时产生的金属蒸气较多，只适用于低分断能力的熔断器。高熔点材料如铜、银，其熔点高，不容易熔断，但由于其电阻率较低，可制成比低熔点熔体较小的截面尺寸，熔断时产生的金属蒸气少，适用于高分断能力的熔断器。熔体的形状分为丝状和带状两种。

    对于每一种材料它是一个常数。当熔体金属变为蒸气时电弧始燃，在燃弧过程中电流由限流值降至零，此阶段的I2t即为熔断I2t，它是一个变量。这一过程主要依靠填料被腐蚀而吸收能量。在设计快速熔断器时，为满足半导体器件不断提高的额定电流，要采取许多措施，而不能简单地用算术方法来选择快速熔断器。实验证明，当额定电流增加1倍时，快速熔断器的I2t值是原来的4倍，而半导体器件I2t值的增加要小的多。要使快速熔断器降低I2t值有较大的难度，只有多方面采取措施，如合理的熔片分布、缩短熔体长度、减小电弧栅和提高灭弧材料的熄弧能力等。I2t值是精选快速熔断器的重要指标之一。绝缘电阻快速熔断器分断后的绝缘电阻的指标由经验证明是很重要的。20世纪90年代大量的产品中加入了钾盐、钠盐，钠盐可以提高电弧栅的分断能力。而制造较差的快速熔断器分断后绝缘电阻大多低于Ω，甚至有漏电现象，特殊情况下切断故障后经一段时间又重燃，这将引起更大的故障。质量好的快速熔断器（加入了钾盐、钠盐）分断后应形成Ω以上的绝缘电阻。快速熔断器在分断10min后能达到大于1～30MΩ的绝缘电阻，可认为有良好的可靠性。另外，使用快速熔断器时还要考虑其寿命及可靠性。

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