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深圳半导体工业氮化铝陶瓷板 欢迎咨询 深圳市鑫鼎精密陶瓷供应

信息介绍 / Information introduction

      氮化铝粉末纯度高,粒径小,活性大,是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。用氮化铝陶瓷做成的基片,其热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

      氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位.利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性,可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件,利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。

   氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀,对酸稳定,但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性,可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好,可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中广泛应用。折叠编 电子陶瓷--氮化铝陶瓷零件源头厂家--鑫鼎陶瓷。深圳半导体工业氮化铝陶瓷板

     用氮化铝陶瓷作成的基板材料可以满足现代电子功率器件发展的需要。 高电阻率、同热导率和低介电常数是集成电路对封装用基片的基本要求.封装用基片还应与硅片具有良好的热匹配. 易成型 高表面平整度、易金属化、易加工、低成本等特点和一定的力学性能.大多数陶瓷是离子键或共价键极强的材料,具有优异的综合性能.是电子封装中常用的基片材料,具有较高的绝缘性能和优异的高频特性,同时线膨胀系数与电子元器件非常相近,,化学性能非常稳定且热导率高.长期以来,绝大多数大功率混合集成电路的基板材料-直沿用A1203和BeO陶瓷,但A1203基板的热导率低,热膜胀系数和硅不太匹配∶BeO虽然具有优良的综合性能.但其较高的生产成本和剧毒的缺点限制了它的应用推广.因此,从性能、成本和环保等因素考虑二者已不能完全满足现代电子功率器件发展的需要.深圳半导体工业氮化铝陶瓷板可定制氮化铝陶瓷刀片。

     氮化铝陶瓷多零件可以用作微波管的集电极、夹极和能量传输窗口,氮化铝的介电损耗可低至10^(–4),当窗口热量过高时,可以有效保证电子器件的安全性。

   氮化铝陶瓷可用作薄膜材料。氮化铝薄膜材料在高温下有良好的热稳定性和压电性,能在接近1200℃的高温环境下工作,是一种性能良好的压电材料。氮化铝薄膜可应用在微模块、传感器、集成电路和有源元件、MEMS中。

    与其它几种陶瓷材料相比,氮化铝陶瓷具备优良的热、电、力学性能,随着现代科学技术的飞速发展,氮化铝陶瓷也必将在许多领域得到更为广的应用。

      氮化铝陶瓷摩擦系数较小,在高温高速的条件下,摩擦系数提高幅度也较小,因此能保证机构的正常运行,这是它一个突出的优点,氮化铝陶瓷开始对磨时滑动摩擦系数达到1.0至1.5,经精密磨合后,摩擦系数就会大幅下降,保持在0.5以下,所以氮化铝陶瓷被认为是具有自润滑性的材料。这种自润滑性产生的主要原因,不同于石墨,氮化硼,滑石等在于材料组织的鳞片层状结构。它是在压力作用下,摩擦表面微量分解形成薄薄得气膜,从而使摩擦面之间的滑动阻力减少,摩擦面得光洁度增加。这样越摩擦,阻力越小,磨损量也特别小,而大多数材料在不断摩擦后,因表面磨损或温度升高软化,摩擦系数往往逐渐增大。氮化铝陶瓷结构件定制加工找鑫鼎陶瓷。

    氮化铝分子式为Si3N4,属于共价键结合的化合物,氮化铝陶瓷属多晶材料,晶体结构属六方晶系,一般分为α、β两种晶向,均由[SiN4]4-四面体构成,其中β-Si3N4对称性较高,摩尔体积较小,在温度上是热力学稳定相,而α-Si3N4在动力学上较容易生成,高温(1400℃~1800℃)时,α相会发生相变,成为β型,这种相变是不可逆的,故α相有利于烧结。

    外观不同晶相得氮化铝外观是不同的,α-Si3N4呈白色或灰白色疏松羊毛状或针状体,β-Si3N4则颜色较深,呈致密的颗粒状多面体或短棱柱体,氮化铝晶须是透明或半透明的,氮化铝陶瓷的外观呈灰色、蓝灰到灰黑色,因密度、相比例的不同而异,也有因添加剂呈其他色泽。氮化铝陶瓷表面经抛光后,有金属光泽。 氮化铝陶瓷零件管的工艺流程。深圳氮化铝陶瓷柱塞

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      氮化铝(AlN)陶瓷是一种综合性能优良的新型陶瓷材料,具有优良的热传导性,可靠的申绝缘性,低的介电常数和介电损耗.无毒以及与硅相匹配的热膨胀系教等一系列优良特性.被认为是新-代高集程度半导体基片和电子器件封装的理想材料,受到了国内外研究者的高度重视.理论上,氮化铝的热导率为320W/(m)工业上实际制备的多晶氮化铝的热导率也可达100~250 W/(m).该数值是传统基片材料氧化铝热导离的5倍~10倍,接近于氧化铍的热导率,但由于氧化铍有剧毒,在工业生产中逐渐被停止使用.与其它几种陶瓷材料相比较,氮化铝陶瓷综合性能优良,非常适用于半导体基片和结构封装材料,在电子工业中的应用潜力非常巨大.另外,氮化铝陶瓷可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、蒸发舟、热电偶的保护管、高温绝缘件,同时可作为耐高温耐腐蚀结构陶瓷、透明氮化铝陶瓷制品,因而成为一种具有很大应用前景的无机材料.深圳半导体工业氮化铝陶瓷板

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