因此务必在齐纳二极管有电流经过时进行检查。理想的情况是正负温度系数完全相互抵消，但是这不切实际也没有必要，简单的改进便已足够。在二极管具有高电压且正温度系数更高的情况下，可以使用两个（或两个以上）二极管改进抵消的效果。图2显示了在工作温度范围为25°C~100°C时，在没有串联二极管、串联一个二极管和串联两个二极管的情况下，图1中计算得出的电压调整偏差与不同齐纳二极管输出电压的对比情况。图2中的垂直线显示增加串联二极管后，在，与温度相关的误差可以减少3~5%。图2：将一个或多个二极管与电压值超过。第2个例子中使用了转换器，该转换器要求电平移位器向控制电路发送输出电压信息。图3是一个负输入到正输出的反相降压-升压电路。控制电路以-Vin轨为基准，输出电压以接地端为基准。为了使控制电路精确调整输出电压，电平移位器重建了“FB和-Vin”间的差分“Vout到GND”电压。在这一实现中，约等于（Vout-VbeQ1）/R的电流源从Vout流向Vin。电流在较低电阻中流动，重建以-Vin为基准的输出电压。增加Q2，配置成二极管，可以恢复Q1产生的Vbe压降损失。此时，除了与beta相关的小误差，FB引脚处的电平位移电压差不多复制了Vout和GND间的电压。

    导通电压UD约为。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏[4]。二极管正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。[4]当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。[4]当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为，锗管约为。硅二极管的正向导通压降约为，锗二极管的正向导通压降约为。[4]二极管反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。

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