答；可控硅有两种叫法，精细一点叫晶闸管。常用的电力半导体器件有；普通可控硅（SCR）、门极（GTO）关断可控硅、电力可控硅（GTR）、电力MoS场效应晶体管（MosFET）、绝缘栅双极型晶体管、（lGBT）、Mos栅控可控硅等等。可控硅模块；是根据不同的用途与技术要求，将单向可控进行组合。两只单向可控硅的串联（一只的阳极A与另一只的阴极K相接）这样就组成了一个可控硅模块。常用于大功率三相桥式、单相桥式整流电路之中。两只单相可控硅反向并联（就是一只的阳极A与另一只的阴极K联接，另一端点一只阴极k与一只阳极A相接）组成一只双向可控硅模块。常用于大功率三相或单相交流调压电路中。例如软启动器中改变电压控制电动机启动的电路中。无论是什么结构，它们的控制端都是由阴极K与门极G有二根线引出来控制的。下面简述一下GT0门极可关断可控硅的组成。见下面图门极可关断晶闸管简称可关断晶闸管，用GTO表示。它是一种耐高电压大电流全控器件。它属全控型三端器件。GT0可控硅的基本结构与普通可控硅ScR类似，它的三个极也是阳极A、阴极k、门极G。其内部结构及符号如上图所示。其阳极伏安特性如下图所示。当阳极加有正电压、阴极加有负电压时。

    晶闸管)回到导通状态。为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。3、关于转换电流变化率当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种情况易在感性负载的情况下发生，很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。4、关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶闸管)。5、关于连续峰值开路电压VDRM在电源不正常的情况下，可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的大值，此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流，那么硅片上局部的电流密度就很高，使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流，这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰。

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