南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司是专业从事定制化芯片研发的企业。公司为客户提供芯片设计、芯片流片、芯片测试等服务。研究院技术团队的工程师和设计师拥有丰富的经验，能够将客户的需求转化为创新的解决方案。同时，公司还提供单步或多步工艺开发服务，使客户能够在短期内实现技术或产品开发。公司的优势在于能够提供高质量的芯片研发服务，为客户提供了一站式的解决方案。公司的服务团队将与客户紧密合作，确保成功开发和交付。无论是从芯片设计到芯片测试，公司都致力于给客户带来优良的解决方案，为客户的业务发展提供支持。芯谷高频研究院的CVD用固态微波功率源产品具有高频率一致性和稳定性, 具有集成度高，尺寸小、寿命高等特性。陕西化合物半导体器件及电路芯片工艺技术服务

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南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司是国内为数不多拥有先进太赫兹测试能力的单位之一。公司能够进行高效准确的测试工作，可以测试至400GHz的各类元器件、MMIC电路及模块的散射参数测试和器件建模。此外，公司还能够实现高达500GHz的电路功率测试和噪声测试。这些能力展示了公司在太赫兹测试领域较强的实力。通过持续的创新和研发，公司不断拓展技术边界，为客户提供更加专业、高质量的服务。作为高频器件产业企业，公司为整个行业的发展贡献着自己的力量。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将继续致力于太赫兹测试技术的创新和应用，为推动整个行业的进一步发展做出更大的贡献。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司提供异质集成工艺服务，如晶圆键合、衬底减薄、表面平坦化等。

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南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质异构集成技术服务，可进行以下先进集成材料制备和研发：1)单晶AlN、LiNbO3压电薄膜异质晶圆，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射频滤波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆，用于低损耗光学平台；3)AlGaAs-on-insulator，绝缘体上AlGaAs晶圆，用于光量子器件等新一代片上光源平台；4)Miro-Cavity-SOI，内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆，用于环栅GAA，MEMS等器件平台；5)SionSiC/Diamond，解决传统Si衬底功率器件散热低的瓶颈；6)GaNonSiC，解决自支撑GaN衬底高性能器件散热低的瓶颈；7)支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。陕西化合物半导体器件及电路芯片工艺技术服务

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